Bonjour,
Est-il recommandé de faire travailler un transistor Mosfet de puissance à une tension proche de la tension Vds max?
Exemple VCC= 1150V pour un Vds max=1200V
La fiabilité du transistor est-elle réduite? Y'a t'il risque de claquage?
Merci
Il est de coutume de prendre une marge de sécurité entre les max du datasheet et ce qu’on demande au composant.
Ainsi, si je veux concevoir un appareil; que selon mesure ou calcul je vois qu’un composant travaillera à 0,8W; je choisirai un composant de 2W ou plus pour être confortable avec mes possibilités d’erreurs de calculs ou leurs simplifications et/ou les limites du composant.
Cependant, depuis 15 ans la Voie Maritime du Saint-Laurent fonctionne avec un système que j’ai conçu incluant des 7805 qui fonctionnent à 85˚C de température de jonction. Je n’en suis pas plus fier, mais je dois admettre que les constructeurs respectent leurs specs et que sans doute, eux aussi s’offrent une petite marge.
Donc, dans ton cas (comme dans tout autre), il est préférable de te donner une marge de sécurité. Mais si en toute connaissance des enjeux et des risques tu en viens comme je le fis à être proche des limites, je ne te lancerai pas la première pierre.
Merci pour les éléments de réponse.
En fait, des pannes ont été observées à répétition sur un circuit à base d’un transistor alimenté sous une tension DC 1150V via une résistance de 1Mohm entre le drain et la source.
Le transistor était au repos et ne commutait point ! Et pourtant il n’a pas trop supporté cette forte tension au cours du temos (2 à 20jours). Mais elle rentre tout de même dans les spécifications du composant !
Est-ce qu’il y’a une recommandation pour l’application d’une tension DC sur D-S du Mosfet ?
