slt.
dans un transistor bipolaire npn par exemple , pourquoi on dit que le courant de la base commande le transistor ? ce que j'aimerai comprendre est que , la base du transistor doit etre mince pour que le nombre d'electron colléctés soit grand , mais la largeur de la base , est ce qu'elle est commandé par le courant , ou par un autre facteur de fabrication ? je ne vois pas en terme explication physique ca , en terme de passage d'electron...etc.
merci.
hello ,
ta question demande une précision :
si tu t'intéresse au fonctionnement PHYSIQUE du transo , il existe des traités (souvent en anglais) qui développent la question , toutefois un bon niveau mathématiques et physique est nécessaire , la mécaqua c'est pas simple !
mais si tu t'intéresse à l'USAGE du transo , pas besoin d'aller aussi loin , le schéma équivalent en quadripole , et les paramètres en "S" pour la HF suffisent à 99,9% des développements.
merci pixel...je m'interesse + sur le premier cas...le coté physique.
Dans ce cas, la base doit être aussi mince que possible: de cette manière, le champ électrique entre le collecteur et les autres électrodes pourra capter un maximum de porteurs de charges au bénéfice du collecteur, et il ne restera qu'un faible résidu passant par la base.Envoyé par Abu Maria.
A ce point de vue, l'étude du fonctionnement en base commune est intéréréssante (pour le reste, c'est bof!): on peut facilement lier mathématiquement leen BC avec le
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
merci tropique...
ce que tu as dit je le connais...mais ce que je veux comprendre est:
on sait que pour qu'il ait le minimum de recombinaison dans la base ce qui permet un nombre important d'electron collecté par le collecteur ,il faut que la base soit mince.
alors
pourquoi on dit que le transistor est commandé par le courant de base ? est ce lui le responsable de la mincité?
et aussi
physiquement pourquoi le transistor amplifie le courant de la base , et le collecteur collecte celui de l'emetteur ?
j'ai des lacunes dans ca donc c'est pour ca je pose ce genre de questions...
Rien à voir.alors
pourquoi on dit que le transistor est commandé par le courant de base ? est ce lui le responsable de la mincité?
Si pas de courant de base, pas de porteurs pouvant être collectés par le collecteur.
Plus haut, tu as dit "que tu connaissais": apparemment, ce n'est pas bien le cas.physiquement pourquoi le transistor amplifie le courant de la base , et le collecteur collecte celui de l'emetteur ?
Le circuit du courant de collecteur se ferme par l'émetteur, et donc le courant de base ne sert qu'à "amorcer la pompe": la plupart des porteurs proviennent de ce courant principal, le courant de base est là pour démarrer le processus et compenser ensuite ce qui est perdu en route.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Bonjour,
petite question subsidiaire : pourquoi le gain diminue-t-il avec Ic et avec la puissance du transo (sa taille ?).
Merci.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
merci tropique et apparament tu n'as pas compris ma question.
pourtant ma question etait vraiment claire.
moi je connais que le transistor dans sa partie lineaire amplifie le courant de base.
la question
comment se passe la procedure d'amplification de ce courant en terme physique ,en terme de porteurs?
puisque les porteurs provienent de l'emetteur(diode emtteur/base polarisée en direct par ex).
Dernière modification par Abu Maria. ; 13/07/2010 à 11h22.
Il y a à ma connaissance deux effets qui causent la chute du beta à courant élevé: quand le courant augmente, cela accroit le nombre de porteurs minoritaires, dont la densité approche alors celle du dopage d'origine, et l'effet transistor tend à disparaitre.Bonjour,
petite question subsidiaire : pourquoi le gain diminue-t-il avec Ic et avec la puissance du transo (sa taille ?).
Merci.
D'autre part, à courant élevé la résistivité du matériau cause des hétérogénéités dans la répartition du courant, qui tend à se concentrer directement autour de l'émetteur, là où il est le moins productif.
Quant à la taille, c'est simplement une question de dimension physique: les structures doivent être suffisantes pour supporter le courant et la puissance, ce qui va à l'encontre du gain. Et si on augmente la durée de vie des porteurs pour compenser, on ralentit le transistor. Il y a toujours des compromis vitesse/gain/puissance/tenue en tension.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
et alors ...comment ca se passe???? cette amplification.
Il y a principalement deux facteurs: la base est très fine, et la grande majorité des porteurs de charge créés dans l'espace B-E arrivent au collecteur sans avoir eu le temps de se recombiner naturellement, et l'émetteur est fortement dopé ce qui favorise la génération d'électrons comme porteurs de charge (pour un NPN). Ces électrons peuvent être captés et accélérés par le champ électrique régnant dans l'espace collecteur-base.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Bonjour Abu Maria
au delà du principe physique particulier au transistor à jonctions, l'amplification se passe de la même façon que tout ce qui amplifie, je veux dire que ce n'est pas juste une fonction levier, c'est bien une commande de faible puissance qui module une forte puissance, et proportionnelle qui plus est.
Il faut comparer cela au bilan d'une opération du genre ouverture de vanne hydraulique : il suffit de dépenser un peu d'énergie pour tourner le robinet et en sortie on a une puissance considérablement plus élevée.
Dans un montage en émetteur commun, il faut décomposer ça en deux sources, deux fils pour commander la jonction Base-Émetteur(tes deux doigts) et deux fils pour alimenter la jonction Collecteur-Émetteur(le jet d'eau). Cela compris, le reste coule de source si j'ose dire.
L'electronique, c'est fantastique.
merci beaucoup ...mais vraiment desolé , je n'arrive pas encore a voir le processus de l'amplification en terme de charge dans les jontions...si c'est possible...
Bonjour Abu Maria
Pixel a raison, cela fait partie des généralités sur les semi-conducteurs, mais bon si les explications ne rentrent pas, attend la validation de la pièce jointe, c'est issu d'un vieux bouquin, les deux schémas t'aideront, je pense.
L'electronique, c'est fantastique.
merci tout le monde
le transistor est polarisé , donc on lui fournit un courant de base
dans wikipedia j'ai trouvé que "le courant de base est Le courant des trous circulant de la base vers l'émetteur ajouté au courant de recombinaison des électrons neutralisés par un trou dans la base ..."
donc ce courant Ib est manipulé par l'utilisateur , donc si on change la valeur de ce courant , donc la recombinaison va changer si on peut dire , et donc le courant collécté change , tout ca avec une relation fixe beta...c'est ca l'amplification au niveau de la charge...que pensent les elctroniciens et les physiciens de ca ???
merci
true or false,?...merci
Bonjour
dans le transistor à jonctions PNP ou NPN on a bien une commande de la base qui mène à une amplification en courant. Ce paramètre est bien nommé Béta, selon la technologie ça varie de 1µA à 100 mA et même plus, et le gain (le béta) varie de 300 à 10.
Le côté physicien s'applique à expliquer le phénomène mais le technicien s'applique à expérimenter la technologie.
D'un côté on a de la science, de l'autre on a de l'art, plus comme artisan que comme artiste, ça va de soi..
L'electronique, c'est fantastique.
vraiment sa m'echappe !!!
si on suit la definition issue de wikipedia , et qui mentionne que le courant de base est celui " des trous circulant de la base vers l'émetteur ajouté au courant de recombinaison des électrons neutralisés par un trou dans la base"
donc quand Ib est intense , qui veut dire qu'il y aura plus de recombinaison , donc le courant collecté sera nul !!!!! donc en conclusion quand Ib est intense le transistor est bloqué!!!!
desolé et vraiment desolé , expliqué moi avec un detail de trés grande resolution!!!merci...
Bjr
http://www.101science.com/transistor.htm
il ya quelques vidéos parlantes dans ce sujet ...
dont celle ci
http://www.youtube.com/watch?v=rxxmI...layer_embedded
Bonjour
http://eurserveur.insa-lyon.fr/LesCo...ionnement.html
l'effet transistor n'est possible qu'à la condition d'une jonction de base très mince, ne te focalise pas sur le nombre de recombinaisons trous-électrons, il ne pourra jamais atteindre le résultat que tu envisages, c'est impossible de par sa construction.
Pour un Tr avec un gain de 100 ce nombre de recombinaisons est de 1%, tout bêtement. L'effet majoritaire est la diminution de l'épaisseur électrique de la zone P (située entre les deux zones N) qui a pour résultat de laisser passer un grand nombre de ces trous entre le pôle Négatif (Collecteur) et le pôle positif (émetteur).
Avec une jonction P suffisamment mince on a l'impression que c'est bien le courant de base qui agit comme commande d'amplification.
Par contre si la zone P était trop épaisse on n'observerait qu'un courant direct entre Base et Emetteur. Toute l'habilité de la technologie est de trouver le bon dosage du dopage de chaque jonction et de fixer une épaisseur correcte à la jonction centrale.
L'electronique, c'est fantastique.
Mis à part que le pôle négatif est branché du côté de l'émetteur...
L'electronique, c'est fantastique.
merci tout le monde pour les explications...
mais en terme de charge je ne vois pas encore , comment le courant de la base qui commande...
car le courant de la base , est celui des recombinaisons que subissent les electrons issus de l'emetteur dans la base , alors comment ce courant qui controle??
merci.
ces recombinaisons dans la base sont une consequences et pas une cause .non??,
suffit d'ouvrir les yeux ^^
je remet le lien ^^
http://www.youtube.com/watch?v=rxxmI...layer_embedded
il ya Vbe + Vce d'appliqués au transistor, par effet de fronde ( pour imager le fonctionnement ) la polarisation par Vce va faciliter le passage des électron de l'émetteur au collecteur grâce a l'aide du Vbe ...
il y a plus d'électrons émis par la zone N de l'émetteur que de trous dans la base P ... tous ne vont pas se recombiner ... d'où l'importance de la finesse de la base ...
merci pour le lien , et merci pour l'aide
je sais que la mincité de la base est un facteur important , mais en terme de porteurs de charges , comment le courant de base controle, on dit que si il n'y a pas courant de base il n y aura pas courant emetteur , et le courant de la base est la recombinaison qui se passe dans la base pour le courant d'emetteur !!! alors en terme de charge pourquoi le courant de la base que nous injectons dans la base , sans lui il n y a pas le courant d'emetteur , est ce que la difinition du courant de la base est fausse???
l'ideal pas de recombinaison , donc Ib=0(puisque Ib=courant de recombinaison) !!! quand Ib=0 toutes les charges de l'emetteur seront collectées , alors ou est en terme de chrage ce controle...et desolé pour le prolongement de cette discussion.
Bonjour Abu Maria.
il y a deux courants dans le transistor, celui de base et celui d'émetteur.
Le courant de collecteur est la différence.
Dans un NPN, c'est le courant d'électrons injecté par l'émetteur qui est majoritairement happé par le champ électrique positif du collecteur quand il est sous tension.
On peut expliquer ça en disant que les électrons qui arrivent dans la zone P de la base se comportent comme des porteurs minoritaires.
Les porteurs minoritaires sont ce qui forme le courant de fuite dans une jonction polarisée en inverse, c'est le cas de la jonction P-N base-collecteur. Cela est rendu possible par l'enrichissement bien plus élevé de la jonction N de l'émetteur par rapport à celui de la zone N du collecteur.
L'electronique, c'est fantastique.
bonne explication curieux , et ca je l'ai déjà compris
ce que je veux savoir et comprendre moi dans cette discussion prolongée est que
pourquoi on dit que le courant de la base qui contrôle ? je veux le comprendre en terme de porteurs de charges,car le courant de la base est définit comme étant la recombinaison que subiront les électrons émis par la zone N (émetteur) , donc en terme de porteur , pourquoi on dit l'absence du courant de base entrainera l'absence de celui de l'émetteur?
merci.et dessolé.
suggestion:est ce que je ferai mieux de rapporter cette discussion dans la section "physique".
parce qu'ont l'a déja dit, sans courant de base, pas de courant emeteur-base ... et pas de courant qui circule non plus d'émetteur-collecteur ...
fin là on tourne en rond, le mur de l'incompréhension semble indestructible .. .
on peut faire le // avec les afficheurs VFD ...
pk les électrons atteignent quand même les surface phosphorescentes alors que la grille de polarisation est entre l'émetteur d'électrons et la zone phosphorescente ? bien parce qu'elle ne capte pas tout les électrons ...
( ptit rappel filament incandescent porté au potentiel négatif par rapport a la grille et a la zone phosphorescente ... )
http://fr.wikipedia.org/wiki/Afficheur_fluorescent
parallèle osé s'il en faut
en réalité la tension base-émetteur qui contrôle.
