Saturer un transistor

[invite7dd217a5]

Bonsoir à tous, voila c'est tout simple, j'aimerais qu'une personne vérifie mes calculs ...

Je veux dimensionner la résistance Rb pour saturer un transistor NPN (je vous aurez bien mis un petit shéma mais je ne sais pas comment faire )

Vcc = 16V
Ve = 5V
Rc = 10K
Rb = ?
Vcesat = 0.2V
Vbesat = 0.7V
Bmin = 125
k = 2

Collecteur relié à Vcc
Base relié à Ve
Eméteur relié au GND

Calcul de ic

ic sat = ( Vcc - Vce sat ) / Rc
ic sat = ( 16 - 0.2 ) / 10*10^3
ic sat = 1.58 mA


Calcul de ib

ib min > ic sat / Bmin
ib min > 1.58*10^-3 / 125
ib min > 13µA

coeff de sursaturation => 13*10^-6 * 2 = 26µA


Calcul de Rb

Rb = ( Ve - Vbe sat) / Ib
Rb = ( 5 - 0.7 ) / 26*10^-6
Rb = 165.385 K moi ça me semble être un peu beaucoup


Vous en pensez quoi ?

Bonne soirée à tous
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[DAUDET78]

Vous en pensez quoi ?

que ton calcul est faux ...
Il ne faut pas confondre le gain en petit signal (facilement 150) et le gain en saturation (entre 10 et 20)

Tu as LA spécification du transistor NPN que tu étudies ?

[invite7dd217a5]

voici la datasheet http://www.datasheetcatalog.org/data...hild/BC547.pdf , je ne sais pas si c'est ça que tu demande ?!

[DAUDET78]

je ne sais pas si c'est ça que tu demande ?!

C'est exactement le bon document.

Page 1
Hfe=min 110
Vcesat<0,25V pour Ic=10mA et Ib>0,5mA donc gain en saturation =20

Valeur qui n'a rien a voir avec le Hfe .....

[A voir en vidéo sur Futura]

[invite7dd217a5]

je devrais plutôt avoir une valeur vers les 27k par exemple ?

[DAUDET78]

Rb=54430,378 Ohm

27K, 10K, 33K ... c'est bon

PS : normalement, on rajoute une résistance (genre 4,7K) entre base et émetteur pour augmenter la vitesse de blocage. Le courant base doit être alors
IC/20 + 0,7/4700= 1,58/20+0,7/4,7= 0,2279361 mA

Et Rb=(5-0,7)/Ib= 18864,936 ohm
On utilise entre 4,7 et 15K

[invite7dd217a5]

Je te remercie DAUDET78 pour ton aide, et te souhaite une bonne nuit