Bonjour tout le monde,
je suis nouveau sur ce forum et j'espère que je n'aurai pas posté dans la mauvaise partie.
Je suis en DUT GEII en deuxième année et j'ai un exercice à faire portant sur l'oscillateur de Colpitts.
Je sollicite votre aide car je n'arrive à faire aucune question !
Je ne veux pas qu'on fasse tout à ma place mais qu'on m'aiguille pour que je réussisse à faire l'exo.
J'ai joint les deux pages au sujet.
Merci d'avance à ceux qui m'aideront.
1 001.jpg
2 001.jpg
and the question is ?
j'ai joint les fichiers au post, les questions et l'exercice y sont.
Bonsoir,
trop petit j'y vois rien a mon age...
Pourtant, j'arrive à ouvrir les pièces jointes dans un autre onglet et zoomer pour avoir une taille adaptée à la lecture !
Personne ne l'aime mon oscillateur ?
Bjr à toi,
Bien souvent l'AUTEUR peut ouvrir SON fichier, mais les autres NON!
Respecter cette procédure, en général ça fonctionne.
http://forums.futura-sciences.com/el...-sabonner.html
A+
Salut,
j'ai inséré les pièces comme dit dans le topic, j'espère que vous arriverez à les lire !
en 1)
on te demande de remplacer le transo par son quadripôle équivalent en petits signaux.
En faisant ça je trouve que Vs = (béta + 1)*ib * (Rs // 1/Y).
mais après jene sais pas par quoi remplacer Ve pour que les ib se simplifient !
Vs = (béta + 1)*ib * (Rs // 1/Y).
Ve = Rbe * ib. Rbe est la résistance base-émetteur.
Du coup l'amplification vaut : [ (béta+1)*(Rs // 1/Y) ] / Rbe ?
Désolé pour le double-post, je n'arrive pas à supprimer l'ancien.
alors , déja , oser parler du BETA pour un transistor à EFFET DE CHAMP !!!!!
mes excellent collègues vont en avaler leur dentier...
m'étonne pas que tu sois un peu perdu
je te conseille, avant tout , de réviser tes COURS DE BASE.
je n'ai eu un cours que sur le transistor NPN.
Je ne sais pas si c'est de ça qu'on parle ici car je n'ai jamais eu de cours ou exercice avec un transistor où on ne parlait pas de béta.
Merci de prendre ça en compte.
ben ici , c'est pas un transo NPN , mais un transistor à effet de champ (FET).
Pour lequel la notion de "gain en courant" n'existe pas puisqu'il se pilote en TENSION (comme les anciens tubes)
si tu as ce problème à faire , c'est que tu as eu un cours sur ce composant !
que tu y fus absent , ou que tu y ait dormi, est une autre histoire.
un début ici :
http://subaru.univ-lemans.fr/AccesLi..._elec/jfet.pdf
http://fabrice.sincere.pagesperso-or...JFETv1.1.0.pdf
Ecoute,
je ne vois pas pourquoi je mentirais, je n'ai jamais eu de cours sur un tel composant et je n'étais ni absent ni en train de dormir si un tel cours avait eu lieu.
En tout cas, merci pour tes liens, je vais aller les lire.
si tu ne mens pas (ce dont je n'ai pas de raison de douter) alors ton prof est distrait (pour rester correct).
mais vous auriez du lui faire la remarque le jour ou le devoir à été donné !
En fait le cours sur le transistor NPN a été fait en première année et l'exercice que je dois faire fait partie d'une série de TPs qui n'est plus assurée par le même professeur.
Du coup je peux pas vraiment dire grand chose.
ben si....
dire que le sujet n'a pas été traité......
l'aurait pas fallu nous faire ça quand j'usions nos fond ce culottes !
On est pas dans la m...e avec un enseignement pareil...
Comme le dit justement PIXEL, sans avoir vu ou sans connaitre par ailleurs le transistor à effet de champ cet exercice n'est pas possible à faire.
Donc regarde bien les documents et reviens une fois que tu as bien pigé, en principe une fois appris et évidemment compris, tu dois faire cet exo sans problème.
On sera là pour te dire si c'est bon.
@+
Je sais pas si je vais réussir à me faire le cours + applications tout seul.
Je sais pas trop comment faire en fait.
J'ai écrit que Vs = gm*Vgs*(R // 1/Y).
Ve j'aurais bien dit : Vgs + Vs.
Du coup en simplifiant, Vs/Ve, ça donnerait
K/(1+K) où K = gm*(R // 1/Y).
Sans grande conviction !
Si quelqu'un pouvait me dire où sont mes éventuelles erreurs, ce serait sympa !
si tu démontrait et expliquait des abréviations.....
de toute manière , le FET est monté en "source suiveuse" donc le gain en tension est proche de 1.
gm est la pente du transistor (comme on me demande de l'appeler comem ça dans le sujet, je lui ai donnée ce nom là).
Vgs est la tension entre le gain et la source.
En analysant mon expression, l'amplification se rapproche bien de 1, non ?
Pouvez-vous aussi m'aider pour la fonction de transfert du circuit passif ?
Le temps de regarder, je suis rentre depuis peu, tu auras une reponse sous peu.
@+
merci beaucoup
Bon comme promis voici le début des explications.
Le montage s'articule autour d'un FET monté en drain commun, dont le schéma aux petites variations est celui en bas du dessin.
J'exclue la résistance drain-source () que l'on peut considérer infinie pour simplifier le modèle.
Le signal de sortie est prélevé aux bornes de la résistance de source Rds.
D'après le schéma équivalent aux petits signaux on peut écrire:
Vs=Rs.gmVgs/(Rs.Y+1) et Ve=Vs+Vgs=Rs.gmVgs/(Rs.Y+1)+Vgs=Vgs(1+[Rs.gm/(RsY+1)])
d'où A=Vs/Ve=gm/(Y+1+gm)
Pour le calcul de H de la cellule en PI CCL, il suffit d'appliquer Millman en Vs et en Vr:
1/Vr=(Vs/ZC2)/(1/ZC2+1/ZL) => Vr=Vs.ZL/(ZL+ZC2)
2/Vs=(Vr/ZC2)/(1/ZC1+1/ZC2) => Vs=Vr.ZC1/(ZC1+ZC2)
Soit H²=(Vr/Vs)²=ZL(ZC1+ZC2)/ZC1.(ZL+ZC2)
Je te laisse vérifier ce début et développer ce calcul pour démontrer que H est toujours réel.
@+
Salut HULK et merci beaucoup pour ton aide.
j'ai réussi à trouver le bon résultat quant à l'amplification du transistor FET.
Par contre, pour la fonction de transfert du circuit passif, je suis allé voir mon prof ce matin et il m'a dit que comme C1 n'influait pas sur la tension d'entrée, la fonction de transfert était tout simplement H(p) = Zl/(Zl + Zc2), c'est-à-dire le pont diviseur de tension.
Du coup, j'ai réussi à faire les deux dernières questions et j'ai vérifié mes résultats sur Internet.
Merci beaucoup en tout cas, j'ai mieux compris grâce à vous
Ok pour moi, du moment que tu as compris c'est l'essentiel.
Néanmoins je te conseille si tu veux de creuser cet exercice plus loin car cet oscillateur est très particulier.
Notamment ce fameux C1 sensé ne pas inter-agir sur la fonction de transfert
Son impédance dépend de la fréquence, ce n'est pas comme une simple résistance.
@+
En effet, je ne comprends pas pourquoi tu le prends en compte et que mon prof dit qu'il ne sert à rien (C1).
Tu as une explication à cela ?
Je me suis demandé après qu'il m'ait dit ça pourquoi on mettait C1 si il comme le prétend, ce dernier ne sert à rien.
