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caractériser un transistor NPN par simulation.



  1. #1
    ami20

    caractériser un transistor NPN par simulation.


    ------

    Bonjour les amis,

    J’aimerais caractériser le transistor NPN pour différentes valeur de courant de polarisation, c'est-à-dire déterminer par simulation sous SPICE les différentes valeurs des paramètres internes (gm, Rpi, Cpi, Csub, Rc, rbb’….) suivant le schéma ci-joint. Mais puisque le schéma est compliqué je ne sais pas avec quoi commencer.
    Est-ce qu’il n y a pas une méthode simple pour caractériser un tel transistor ?

    Merci en avance.

    -----
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  3. #2
    gcortex

    Re : caractériser un transistor NPN par simulation.

    La datasheet du transistor donne déjà les principaux paramètres.
    Le gain est aléatoire et il est donné pour Vc >= Vb à 25°C.

  4. #3
    PIXEL

    Re : caractériser un transistor NPN par simulation.

    si ces infos sont utiles pour les physiciens ,

    en développement électronique on s'en tape un peux (à part les principaux paramètres bien connus)

    quelle est le but de ta démarche ?

  5. #4
    gwgidaz
    Animateur Électronique

    Re : caractériser un transistor NPN par simulation.

    Bonjour,

    Oui, il faut en savoir plus sur le but de ta démarche. Car on peut compliquer autant qu'on veut le modèle.
    Par exemple, je ne vois pas les inductances des connexions, indispensables si on monte sur les fréquences des téléphones portables...

  6. A voir en vidéo sur Futura
  7. #5
    PIXEL

    Re : caractériser un transistor NPN par simulation.

    et encore.....

    en UHF , les paramètres "en S" modélisent bien les choses.

  8. #6
    gwgidaz
    Animateur Électronique

    Re : caractériser un transistor NPN par simulation.

    Citation Envoyé par PIXEL Voir le message
    et encore.....

    en UHF , les paramètres "en S" modélisent bien les choses.
    Sans aucun doutes....

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  10. #7
    ami20

    Re : caractériser un transistor NPN par simulation.

    Bonjour,

    Je travaille avec une technologie BiCMOs dont je n'ai pas les datasheet des composants de sa bibliothèque. et j'ai fais une étude d'un circuit constitué de ces transistors et je dois comparer les résultats trouvées par simulation avec ceux que je trouve en fusant des applications numériques des équations que j'ai trouvé théoriquement et pour ça je dois remplacer chaque paramètre par sa valeur initiale.

    Pour le transistor Cmos je l'ai encours simplifier en gardant juste 5 éléments à savoir (Cgd, Cgs, Cds, gm et Rds) alors que pour le bipolaire je n'est pas encours trouvé un schéma simplifier

    Donc, comment je peux déterminer les valeurs de 5 paramètres de transistors CMOS par simulation?

  11. #8
    Antoane
    Responsable technique

    Re : caractériser un transistor NPN par simulation.

    Bonsoir,

    Si tu considères les composants constants (i.e. indépendants de la polarisation), tu peux en trouver les valeurs par tests par tests successifs :
    - la résistance dc entre B et E donne rbb'+RΠ
    - La résistance dc entre E et l'autre E donnera RE
    - l'impédance entre SUB et C donnera Rc et Csub
    - ...

    Si tu veux un circuit non-linéaire, il doit être possible de partir d'une polarisation 0 à partir de la méthode ci-dessus puis de construire les tables des paramètres en fonction de la polarisation par marches successives.
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

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