Bonjour,
Je suis en train de réaliser un convertisseur abaisseur avec ISIS, avec en entrée 12V et en sortie 10.5V ( je me fiche du courant étant donné qu'il sera imposé par la charge) pour alimenter des leds (disposé en matrice de leds : 3 ( 3 branches) *4.2 ( tension de la led de puissance en question)=12.6V, 3*20 ( courant de forward de la led en question)=60mA. le tous me permettant d'obtenir les 6 lm nécessaire pour éclairer la plaque d'immatriculation d'un véhicule.
Je travaille sur une fréquence assez élevé ( même si je ne connais pas encore la norme des fréquences au sein du véhicule) : 100kHz pour la commutation de mon transistor ou plutôt IGBT. J'utilise une diode 1N4001, une bobine dimensionné à 150u et un condensateur dimensionné à 0.1u ainsi qu'un raport cyclique de 88% dimensionné. ( je m'emmerde pas avec un pic et un driver dans ce test...).
Et je ne comprend pas pourquoi j'obtient pas la tension de 10.5V souhaité :
j'ai remarqué que le seul composant modifiant tous le fonctionnement de mon montage était le transistor :
- Lorsque l’on branche le convertisseur en utilisant le générateur DC pour la batterie 12V on obtient 5.60V en sortie.
- Si l’on change les valeurs du condensateur et de la bobine on obtient : une tension entre 4.43 V et 4.56V.
- Lorsque l’on prend juste la partie filtre sans la diode et le transistor on obtient 11.8V avec en entrée entre 0 et 12V ce qui est faux car normalement la valeur moyenne dans la bobine doit être null donc on doit avoir une tension symétrique.
- Lorsque l’on fait la même avec en entrée une tension entre -12 et 12V on obtient toujours 11.8V.
- Lorsque l’on fait la même avec une tension d’entrée entre -6 et 6 V on obtient 5.90 V.
- Lorsque l’on utilise une battery (et transistor 2N6782) comme composant pour simuler la batterie ont obtient : 7V.
- Lorsque l’on change la diode générique par une diode 1n4001 ont obtient 8V.
- Lorsque l’on change le transistor par un 2n6845 ont obtient 9.70V avec le voltmètre et 11.4 V avec la simulation.
- Lorsque l’on utilise un transistor 2n7000 (mais il n’y à pas de diode) on obtient 10.6V.
- Lorsque ont utilise le 2n6796 ont obtient 17.6V.
- 2n6847 : 9.85V.
- 2n6849 : 9.92V. 21.4V en simulation.
- 2n6851 : erreur de simulation.
- 2n7000 avec diode : 10.1V.
Je conclus donc que la référence et le choix du transistor (mosfet) est le composant sur lequel il faut s’attarder pour que ça fonctionne.
En mettant la charge (les diodes) ont obtient une tension de 11.5V et 250mA.
Et si je fait la simulation avec LTSpice j'ai encore d'autres résultat !!
Où est la logique dans tous ça !!!!!!!!!!!!!!!!!!!! ???
Merci d'avance de votre aide.
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