Calcul d'un radiateur

[invite3076e0da]

Salut à tous, je ne voulais pas ouvrir un nouveau post
Moi c'est avec un mosfet IRFZ44 de chez IOR

http://www.datasheetcatalog.com/data...Z/IRFZ44.shtml

Je trouve :
Rthjb : 1°C/W
Rthbr : 0,5°C/W
TM : 175°C
TA : suis parti sur 40°

Je vais faire passer 10A Pour 50 V dans mon mosfet et je trouve P = 500 W

Quand je fais mon calcul, je tombe sur la valeur : -1,23°C/W

Une valeur négative me parais vraiment bizarre (ça sent la bourde de calcul).

Merci d'avance de m'aider car j'ai beau relire et relire, je trouve pas
-----

[Antoane]

Bonjour,

je ne voulais pas ouvrir un nouveau post

Sisisi
C'est maintenant fait.

Bon dimanche.

[invite3076e0da]

ok merci bcp

[invitee05a3fcc]

Je vais faire passer 10A Pour 50 V dans mon mosfet et je trouve P = 500 W

tu peux donner le schéma de ton montage ?

Quand je fais mon calcul, je tombe sur la valeur : -1,23°C/W

Une valeur négative me parais vraiment bizarre (ça sent la bourde de calcul).

Pas forcément ..... Mais surement une erreur de conception (relis la datasheet) !

[A voir en vidéo sur Futura]

[Antoane]

Bonjour,

Si les calculs sont bons, c'est que le montage n'est pas réalisable, quel que soit le radiateur employé :

tu as besoin au total d'une résistance thermique totale (jonction - ambiant) inférieure à R_th,t=(175-40)/500=0.27K/W,
or :
R_th,t = R_th,j-b + R_th,b-r + R_th,r-a et R_th,j-b + R_th,b-r = 1.5K/W. Comme une résistance thermique est toujours positive et que
R_th,t - R_th,j-b - R_th,b-r = R_th,r-a < 0, le problème n'a pas de solution.

Il faut donc passer par une autre méthode de conception, par exemple en utilisant un boitier avec une plus faible R_th,j-b, ou en répartissant la puissance dissipée sur plusieurs transistors câblés en parallèle, ou en diminuant R_th,b-r (graisse thermique...).

Note que, de toute façon, 500W, c'est assez énorme pour un transistor classique (et tu t'en rend compte en calculant R_th,r-a).

[invite3076e0da]

le montage est simple : une pwm faites par un arduino , un driver de mosfet TC429 et le mosfet IRFZ44

La datasheet donne :
Rjc jonction to case 1.0 max °C/W
Rcs case to sink, flat, grease surface 0.5 TYP °C/W
Rja jonction to ambiant 62 max °C/W

[invite3076e0da]

Ce que je comprend pad c'est que même si je double mes mosfet Soit 5A / mosfet, je tombe toujour sur une valeure négative (0,96°C/W)

[antek]

Je vais faire passer 10A Pour 50 V dans mon mosfet et je trouve P = 500 W

C'est pas une réponse mais :
- 50 V c'est pas un peu proche des limites du transistor ?!
- comment as-tu déterminé que le transistor allait dissiper 500 W ?

[invitee05a3fcc]

Je vais faire passer 10A Pour 50 V dans mon mosfet et je trouve P = 500 W

Des pistes :
Quand tu as 10A dans le NMOS, il y a quelle tension entre le drain et la source ?
Quand tu as 50V entre le drain et la source , tu as quel courant dans le NMOS?

[Antoane]

Ce que je comprend pad c'est que même si je double mes mosfet Soit 5A / mosfet, je tombe toujour sur une valeure négative (0,96°C/W)

C'est parce qu'il en faudrait plus que deux : avec tes données de R_th,j-b et R_th,b-r ainsi que les températures max, il faudrait que chaque transistor ne dissipe pas plus de 90W (et avec un radiateur de dimensions infinies).
Mais comme tu vas le comprendre en répondant aux questions de Daudet, c'est sans importance.

[invite3076e0da]

Je passe 10 A pour courant maxi 50 V donc 50V entre Drain et source si je raconte pas de betises.

La puissance de 500 W je l'ai calculé avec P=UxI soit 50V x 10 A = 500w

[antek]

Je passe 10 A pour courant maxi 50 V donc 50V entre Drain et source si je raconte pas de betises.
La puissance de 500 W je l'ai calculé avec P=UxI soit 50V x 10 A = 500w

Voir #9
Ben si, tu racontes des bêtises !

[Antoane]

Bonjour,
http://www.sonelec-musique.com/elect...impulsion.html
http://forums.futura-sciences.com/el...t-continu.html

[invite3076e0da]

je n'ai pas encore fais le montage en charge donc je ne peut pas mesurer le voltage à ses bornes.
Peut tu éclairer le jeune padawan merci

[invitee05a3fcc]

je n'ai pas encore fais le montage en charge donc je ne peut pas mesurer le voltage à ses bornes.

Avant de faire un montage ... on fait des calculs ! Donc tu calcules les deux valeurs demandées en #9

[antek]

je n'ai pas encore fais le montage en charge donc je ne peut pas mesurer le voltage à ses bornes.

Effectivement, on peut pas mesurer s'il n'existe pas !

Le FET est soit bloqué, soit saturé (que ceux qui ne sont pas d'accord m'expliquent comment il faut dire) si on ne tient pas compte des périodes de transition.
Quand il est bloqué, quels sont Vds et Id ?
Quand il est saturé, quels sont Vds et Id ?

[invite3076e0da]

Bonjour,
http://www.sonelec-musique.com/elect...impulsion.html
http://forums.futura-sciences.com/el...t-continu.html

La PWM j'ai assimilé le principe.
Je ne pilote pas un moteur, je m'en sert pour alimenter une charge résistive

[Antoane]

Bonjour,

La PWM j'ai assimilé le principe.

Dans ce cas, tu dois pouvoir répondre (correctement ) aux questions de Daudet, Post 9 (c'est trivial si tu as compris le principe). Sinon, relis des explications de base sur le PWM.

Je ne pilote pas un moteur, je m'en sert pour alimenter une charge résistive

Cela revient au même.

[invitee05a3fcc]

La PWM j'ai assimilé le principe.

Ouais ..... de loin !

Quand tu annonces, la bouche en coeur, 500W .... c'est que tu n'as rien assimilé .

PS : que ce soit un moteur, une résistance , c'est kif kif

[invite3076e0da]

Oui je me doute que je ne connais pas sur le bout des doigts.

je continu à chercher.

dites moi si je suis sur la bonne voie: sur ce site page 13

http://www.cime.inpg.fr/images/carac...n/IntroMOS.pdf

J'ai trouvé la formule pour le mode saturé : Id = b/2(Vgs-Vt)²

Je connais
Vgs = 10V
Vt = 4V max donnée de la datasheet

Mais Beta B je seche completement

dites mois deja si je suis dans la bonne voie

[invitee05a3fcc]

J'ai trouvé la formule pour le mode saturé : Id = b/2(Vgs-Vt)²

Sauf que le terme "saturé" pour un MOS, ce n'est pas le mode de fonctionnement que tu utilises.

En tant qu'électronicien quand on dit qu'un NMOS est saturé, c'est comme pour un NPN, le transistor est conducteur à mort. Bon, ça choque les profs puristes en technologie, mais je m'en contre balance ..... et je ne vise personne !

Donc si ta tension Vgs est de 10V, que tu fais passer 10A dans ton MOS, il y a quelle tension drain-source ?

[invite3076e0da]

Sauf que le terme "saturé" pour un MOS, ce n'est pas le mode de fonctionnement que tu utilises.

En tant qu'électronicien quand on dit qu'un NMOS est saturé, c'est comme pour un NPN, le transistor est conducteur à mort. Bon, ça choque les profs puristes en technologie, mais je m'en contre balance ..... et je ne vise personne !

Donc si ta tension Vgs est de 10V, que tu fais passer 10A dans ton MOS, il y a quelle tension drain-source ?

c'est exactement ce que je cherche, dis moi juste si c'est bien avec cette formule qu'il faut que je cherche et à quoi correspond beta?

[invitee05a3fcc]

c'est exactement ce que je cherche, dis moi juste si c'est bien avec cette formule qu'il faut que je cherche et à quoi correspond beta?

Ca n'a rien à voir avec ton problème ! Par contre, répond à ma question

Donc si ta tension Vgs est de 10V, que tu fais passer 10A dans ton MOS, il y a quelle tension drain-source ?

PS : la réponse est dans la datasheet .

[invite3076e0da]

Ca n'a rien à voir avec ton problème ! Par contre, répond à ma question

PS : la réponse est dans la datasheet .

alors si j'ai bien compris sur la datasheet c'est la fig 1 "typical outputcharacteristics" et j'aurais tendance à te répondre Vds = 2,5V

[invitee05a3fcc]

alors si j'ai bien compris sur la datasheet c'est la fig 1 "typical outputcharacteristics"

Par exemple , mais c'est plus simple de regarder R_ds(on)

et j'aurais tendance à te répondre Vds = 2,5V

Je ne vois vraiment pas où tu peux voir cette valeur !

[invite3076e0da]

oui t'as raison je m’emmêle les pinceau.

donc Rds(on) = 0,028 Hom x 10 A soit 0,28 V

[Antoane]

Si ça peut t'aider : 10⁰=1 et 10^-1=0,1

[invitee05a3fcc]

donc Rds(on) = 0,028 Hom x 10 A soit 0,28 V

On avance !!!

Donc quelle est la puissance dissipée dans le NMOS à l'état ON ?

[invite3076e0da]

sorry

je vois du coup mes erreurs, je n'aurais jamais 50V en Vds c'est impossible.

donc si je refais mon calcul Pd = 0,28V x 10 A = 2,8W

Rthra = (Tm -Ta)/P - Rthjb -Rthbr

Rthra = (175-40)/2,8-1-0,5 = 46,71°C/W

[invitee05a3fcc]

je vois du coup mes erreurs, je n'aurais jamais 50V en Vds c'est impossible.

Impossible avec ID=10A en même temps !
Maintenant, tu calcules la puissance dissipée à l'état OFF

PS : Sachant que cette remarque

50 V c'est pas un peu proche des limites du transistor ?!

est pleine de bon sens !