Question sur les Transistor

[invitefca49873]

Bonjour,

Afin de bien comprendre comment marche la petite bête, j'ai quelques question sur la lecture des datasheet des transistors.
par exemple le BC548 : http://pdf.datasheetcatalog.com/data...hild/BC548.pdf

1)Vebo=5.0 V est la tension maximum que le transistor pourra fournir entre base et émetteur, ou la tension maximum a appliquer ?

2)Hfe (pour A par exemple) est compris entre 110 et 220. S'agit il de la tolérance ? (donc utiliser bêta=100 pour calculer la saturation du transistor et 220 pour faire des calcul en variation ) ?

3) sur cette datasheet là : http://html.alldatasheet.fr/html-pdf...3/2/BC548.html, il donne une valeur de VbeSat 0.7 V pour des valeur Ic=10mA et Ib=0.5mA soit Ic/Ib=20. Cette valeur est nettement inférieur au gain cité. Pourquoi ?
Note que sur cette DS là, Vebo est donnée à 6.0 V, c'est une simple variation des fabricants ?
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[invitee05a3fcc]

Vebo=5.0 V est la tension maximum que le transistor pourra fournir entre base et émetteur, ou la tension maximum a appliquer ?

Au delà de cette valeur le transistor peut mourru

Hfe (pour A par exemple) est compris entre 110 et 220. S'agit il de la tolérance ?

de la dispersion max du Hfe entre deux composants au zazard

(donc utiliser bêta=100 pour calculer la saturation du transistor et 220 pour faire des calcul en variation ) ?

NON !

il donne une valeur de VbeSat 0.7 V pour des valeur Ic=10mA et Ib=0.5mA soit Ic/Ib=20. Cette valeur est nettement inférieur au gain cité.

Ne pas mélanger le gain en saturation (généralement entre 10 et 20) et le gain en petit signaux

[inviteede7e2b6]

Vebo est la tension max applicable entre base et émetteur en inverse

puisqu'en direct , elle ne peut dépasser 0,7 V

Hfe est trés variable d'une fabrication à l'autre , c'est bien pourquoi le design doit en tenir compte,
pour ne pas (trop) en dépendre.
concrètement , on fait l'étude avec la "valeur basse"

en saturation , divise le Hfe par 20, c'est la valeur admise par les designers.

EDIT : grillé

[invitee05a3fcc]

en saturation , divise le Hfe par 20, c'est la valeur admise par les designers.

Non ! Lire la valeur dans la datasheet

[A voir en vidéo sur Futura]

[invitefca49873]

Bonjour,

J'ai effectué plusieurs schéma avec calcul (pour voir ci j'ai bien compris)
Schema.png
dont voici les hypothèses :
Hypohtheses.png
iled=10mA est choisi arbitrairement (supérieur a 5 mA)

Le calcul du transistor N° 1 est donc
Rc = (Vcc-Vled-Vce_sat) / iled = 947
Rb = (Vcc-Vbe_sat) / (iled / Hfe_sat) => Rb=11.8k

Le transistor N°2 est variable de ic=10 à ic=20 mA (arbitrairement, pour me donner des valeurs de calcul) :
Ic(20mA) => Rb = (Vcc-Vbe_sat) / (10 / Hfe_max) = 169.5k
Ic(10mA) => (Vcc-Vbe_sat) / Rb / Hfe_max = 339k
Vce = Vcc-Vled = 10.17 V

Question :
1) est ce que le raisonnement est correct ?
2) SI je rajoute une résistance de Charge de 900 ohm (transistor N°3)
pour Rb=339k j'aurais Ib = (Vcc-Vbe_sat) / 339k = 0.03mA => Ic=10mA, VRc=9V et Vce = Vcc-Vled-VRc = 1.17V
pour Rb=169.5k : Ib= 0.06mA => VRc_max = Vcc-Vled-Vce_sat = 9.97 V =>Ic=9.97 / 900 = 11 mA au lieu des 20 précédent.
Il s'agit bien la du principe de saturation ?
Quelle est la subtilité qui fait que dans ce calcul on sature, mais que la valeur de saturation (statique ?) soit de 20 (pour ce transistor ?)
3) Si il n'y a aucune résistance de charge, Ic est il systématiquement égal a Hfe * Ib ?
4) Peut on appliquer une charge sur l’émetteur au lieu du collecteur tout en conservant le mème principe

En espérant que mes questions soit clair !

Cordialement

[inviteede7e2b6]

le schéma numéro deux explosera laide et transistor , puisque rien ne limite le courant collecteur.

[paulfjujo]

pas forcement avec R=340k
ib < 40uA
Ic max 800x40 =>32 mA
la led et le trans. peuvent resister un moment
P=> <350mW dissipee par le transo

avec hfe 100 -> 4mA -> P < 50mw

[inviteede7e2b6]

il suffit que le transistor chauffe un peu : emballement thermique !

bref , montage casse-cou

"at your own risk"

[Antoane]

Bonjour,

Je ne vérifie que les expressions littérales, on suppose que tu sais utiliser une calculatrice .
D'une manière générale, pense bien quand tu fais tes dévelopements si tu calcule un courant max ou minimum, celon si tu utilises les valeur max ou minimales garanties pour le composant (en particulier pour le gain).

Le calcul du transistor N° 1 est donc
Rc = (Vcc-Vled-Vce_sat) / iled = 947
Rb = (Vcc-Vbe_sat) / (iled / Hfe_sat) => Rb=11.8k

Oui.

Le transistor N°2 est variable de ic=10 à ic=20 mA (arbitrairement, pour me donner des valeurs de calcul) :
Ic(20mA) => Rb = (Vcc-Vbe_sat) / (10 / Hfe_max) = 169.5k

Ton transistor n'est pas saturé, Vbe_sat est donc une approximation (une très bonne approximation, d'autant que tu n'as pas vraiment le choix).
Utilisant cette datasheet : http://pdf.datasheetcatalog.com/data...hild/BC548.pdf pour le 548B, on donne 200<H_FE<450 tu sais que le courant de base sera égal (à vraiment pas grand choser près) à (Vcc-Vbe)/Rb=67µA, donc que le courant de collecteur sera compris entre 200*Ib=13mA et 450*Ib=30mA.
…ou Presque, car les valeurs sont données dans des conditions très particulières, à 25°C , @Vce=5V et Ic=2mA. Comme tu n’es pas exactement dans ces conditions, tu ne peux pas connaitre exactement la fourchette dans laquelle se trouve Ic. En pratique (tant que tu restes autour de 25°C), ce sera proche de ces valeurs, mais tu ne peux pas le garantir.

Ic(10mA) => (Vcc-Vbe_sat) / Rb / Hfe_max = 339k

Même remarques.


Note que dans le cas du circuit 2, l'incertitude sur Ic est très grande (d'autant plus qu'on ne prend pas en compte la température). C'est ce pourquoi on n'utilise pas directement ce montage ; on en préfère d'autres, permettant de s'affranchir de la valeur intrinsèque du gain du transistor.

2) SI je rajoute une résistance de Charge de 900 ohm (transistor N°3)
pour Rb=339k j'aurais Ib = (Vcc-Vbe_sat) / 339k = 0.03mA => Ic=10mA, VRc=9V et Vce = Vcc-Vled-VRc = 1.17V
pour Rb=169.5k : Ib= 0.06mA => VRc_max = Vcc-Vled-Vce_sat = 9.97 V =>Ic=9.97 / 900 = 11 mA au lieu des 20 précédent.
Il s'agit bien la du principe de saturation ?

Tu es bien en régime de saturation.
Il faut alors reprendre tes calculs de Rb, qui sont caduques.

Quelle est la subtilité qui fait que dans ce calcul on sature, mais que la valeur de saturation (statique ?) soit de 20 (pour ce transistor ?)

Je ne vois pas ce que le temps, caché dans le terme "statique" vient faire dans l'histoire.
Le gain du transistor dépend de la tension appliquée entre son collecteur et son émetteur. Lorsque cette tension s'approche de zéro (pour être précis : de Vce_sat), le gain chute brutalement, passant de plusieurs centaines à qq dizaines (pour un petit transistor de signal). Comme l'allure exacte du gain est inconnue, on divise le monde en deux : le régime de saturation (Vce~0) et le régime linéaire, i.e. de non-saturation (Vce vaut plusieurs volts).

4) Peut on appliquer une charge sur l’émetteur au lieu du collecteur tout en conservant le mème principe

Le transistor ne sait pas ce qui l'entoure. Tout ce qu'il sait, c'est ce que tu lui envoies comme tensions et courants.
Il y a guère plus d'une règle :
- en linéaire : Ic=Hfe*Ib ;
- en saturation : : Ic<Hfe_sat*Ib.
A toi de l'appliquer, avec les autres lois d l'électronique pour résoudre un circuit.

edit : grillé.

[invitefca49873]

Bonjour,

Note que dans le cas du circuit 2, l'incertitude sur Ic est très grande (d'autant plus qu'on ne prend pas en compte la température).

Mes calculs sont "empirique" dans des condition "parfaite", l'objectif n'étant pas la de dimensionner un montage, mais de bien comprendre la relation tension/intensité sur les différentes broches du transistor, et plus généralement les lois de Kirchhoff (180 pts au scrabble en mot compte triple).
C'est pourquoi j'ai considéré un gain "parfait" de 300 et que je ne tiens pas compte de la température.

on en préfère d'autres, permettant de s'affranchir de la valeur intrinsèque du gain du transistor.

Aurais tu un exemple ?

Ton transistor n'est pas saturé, Vbe_sat est donc une approximation (une très bonne approximation, d'autant que tu n'as pas vraiment le choix).

En effet j'ai utilisé la valeur de Vbe=Vbe_sat, mais dans ce type de montage, quel autre valeur peut on utiliser ? Y'a t-il une relation quelconque entre Vbe & Vce permettant de connaitre une valeur "exacte" de Vbe (Dans le cadre d'un calcul "idéal théorique" bien évidement ), parce que dans ce cas de figure, on se retrouve avec 2 variables et le système n'est pas solvable !!!

Je ne vois pas ce que le temps, caché dans le terme "statique" vient faire dans l'histoire.

C'etait pour tenir compte de la remarque de Daudet sur le gain en saturation (20 dans son exemple) et le gain en petit signaux (régime linéaire). Je ne sais pas si on peut parler de calcul statique et dynamique ? (c'était une question)

le gain chute brutalement...on divise le monde en deux

Ok je comprend mieux. Dans le cas d'une application, on distingue 2 types d'utilisation, et on se débrouille avec les tolérances composant et variation de température pour définir les composants extérieur afin de bien rester dans notre "zone de travail"

Vebo est la tension max applicable entre base et émetteur en inverse

Qu'entend tu par inverse ?

Pourquoi vous mettez "edit : grillé" dans vos messages ?

merci pour vos réponses

[f6bes]

Pourquoi vous mettez "edit : grillé" dans vos messages ?

merci pour vos réponses

Bjr à toi,
Cela veut dire que celui qui REPONDS n'as pas vu la réponse PRECEDENTE qui va dans le MEME sens
que la réponse qu'il viens de faire.
Il a donc été..."grillé" (moins rapide) que par son prédécesseur.
Maais il ne peut s'en APERCEVOIR qu'une fois sa réponse faite.
Il EDITE donc son message = "edit" et rajoute la mention "grillé par..."
Si tu regaardes auBAS des messages tu y verras ladate et heure à laquelle la modification a été faite par le..."grillé"
Bonne journée