Surtout que c'est un Flyback, donc deux inductances couplées.
Ta fameuse diode de roue libre est en fait un snubber.
Il aurait été plus judicieux, comme bien souvent, de poster ce schéma bien avant.
Finalement c'est quoi exactement ta question?
Bon en tout cas le document et ses differents schémas parlent bien de modes continu et discontinus (Dont alternatifs mais pas sinusoïdaux ...) ce qui prouve bien que le MOSFET conduit les deux dans une certaine mesure au moins
Ca c'est une de nos questions HULK
La question originale porte sur le schéma du circuit RCD que j'ai donné, pourquoi un condo ? et pq la résistance en parallèle ? et dans le cas de mode alternatif à quoi sert d'avoir une diode etc ...
Dernière modification par Antoane ; 06/11/2016 à 18h08. Motif: Réparation PJ
Ton schéma en #23 représente un montage Flyback.
La résistance et la capacité avec la diode permettent de renvoyer vers la source l'énergie de la self de fuite de ce "transfo".
Lorsque le transistor est passant ou "ON" le courant circule dans l'inductance du primaire et lorsque le transistor est bloqué ou "OFF" le courant continu de circuler dans le réseau RC grâce à la diode et évite la rupture brutale du courant.
Sans ce réseau il y aurait une surtension créée par une mise en résonance de l'inductance de fuite et des capacités parasites en entrée (capacité de couplage du transfo et la capacité de sortie du MOS Coss et les capacités de liaisons parasites de la carte), ce qui entraînerait la destruction du MOS par dépassement de sa tension Vds.
Il n'y a pas de mode alternatif pour ce genre de montage, le VIN indique clairement une tension continu, hâchée par le transistor.
Sans plus de donnée:
En général on limite à 3% la valeur de l'inductance de fuite par rapport à l'inductance magnétisante Lm du primaire donc.
Par exemple si Lm vaut 1mH, Lf vaudra 3% de cette quantité soit 30µH
On fixe la tension max admissible par le transistor, par exemple 700VDC.
L'énergie stockée dans Lf au moment du blocage vaut W(L)=1/2Lp.I² on fixe fs la fréquence de travail, par exemple 100KHz.
On calcul la puissance max dans le snubber par P(snubber)=W(L)*fs*(1+Vp/Vpic)
Avec Vp la tension au primaire au moment du blocage: Vp=VIN+N(Vo+Vd) Vo=tension de sortie et Vd la tension de la diode en sortie à l'tat passant soit 1V.
Vpic est la surtension max que nous limiterons pour ne pas tuer le MOS soit 700V-100V, 100V étant la marge de sécurité, soit 600V max aux bornes du transistor.
Ce qui donne avec par exemple un rapport de transformation N de 20 et VIN= 320VDC, Vp=320+20(5+1)=440V
Donc Vpic sera limité à 160V.
Après c'est simple, R=2*Vpic(Vp+Vpic)/(L*Ip²*fs)=256KOhms si par exemple Ipmax vaut 0.5A on prend R=220KOhm
La puissance dans cette résistance sera: P(R)=(Vpic+Vp)²/R= 1.6W on prend 3W
La valeur de C n'est pas critique, elle sert à stabiliser la tension aux bornes de R, en général en prenant C>100*1/Rfs on est bon, ici ça donnerait C>4.5nF on prend par exemple 10nF
NON!! tu confonds alternatif (signal qui change de polarité comme le secteur) avec signaux unidirectionels (qui sont toujours positifs) comme ici.
Merci bcp pour tout, mais j'en ai pas demandé autant, juste à savoir le principe de fonctionnement, et effectivement le mode d'alimentation porte à confusion
Nonon je ne confonds pas rassure toi, pour moi le schéma indique bien un changement de polarité, du moins de la tension du drain, mais c'est peut etre à cause de l'inversion de la tension aux bornes de la self ?
Vers la source ??
Oui c'est le principe de la diode de roue libre qu'on a évoqué, mais j'ai du mal à comprendr le role du condo, à part peut tre faire en sorte que la dissipation de l'énergie dure plus longtemps, aussi pourquoi avoir mis la résistanc en parallèle avec ? Ils auraient pu la mettre en série avec la diode et la capacité, il doit y avoir une raison ...le courant continu de circuler dans le réseau RC grâce à la diode et évite la rupture brutale du courant.
Sans ce réseau il y aurait une surtension créée par une mise en résonance de l'inductance de fuite et des capacités parasites en entrée (capacité de couplage du transfo et la capacité de sortie du MOS Coss et les capacités de liaisons parasites de la carte), ce qui entraînerait la destruction du MOS par dépassement de sa tension Vds.
Aussi comment vous connaissez Vo et Vd ? Si c'est la tension aux bornes du secondaires ca doit être égale à Vin/N non ?
1/2Lf*I² plutot ?
Dernière modification par Antoane ; 08/11/2016 à 14h15. Motif: Réparation balise quote
La tension n'est jamais négative sur le drain, changer de sens n'implique pas négatif, tout est question de référentiel.Tu ne peux écrire W=1/2LI^2*f car c'est homogène à une puissance sinon.
Oui, en l'occurrence la tension oscille autour de la position d'équilibre, qui doit être égale à 0 normalement, mais le schéma manque d'indication ...
A moins que ce ne soit l'inverse en fait, au début le drain est soumis à une certaine tension, celle de VIN, puis quand il est ouvert sa tension décroit, et à la fermeture au lieu d'avoir une tension qui revient à la normale on une surtension, les termes employés par le document et les schémas portent à confusion, parler de tension du drain ne veut rien dire, la tension est une différence d epotention par définition, si c'est ça il aurait fallu soit parler de tension entre le drain et la source soit parler de potentiel du drain, mais pas de tension -.- ...