Bonjour,
si j'utilise transistor en commutation (bc337) https://www.fairchildsemi.com/datasheets/bc/bc337.pdf
la datasheet indique R jA 200°/W
donc sans radiateur si je consomme 400mA et si je prends 0,5V entre collecteur et emeteur la puissance dissipée sera de 200mW
l'élevation de temperature sera de 200*0,200=40°C
tj est de 150°C donc avec une temperature ambiante de 30°C mon transistor devait survivre ?
ai je bien compris ?
cordialement
Alain
Décider de faire, c'est bien . Décider quand, c'est mieux !
Bonjour,
Sauf que "normalement", à 400 mA bien saturé, le Vce est autour de 150mV..
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BC337-D.PDF
MM
Si il y a des erreurs ci dessus, c'est que je n'ai pas eu le temps de les corriger...
Salut,
@Alain,
Oui tu as bien compris le principe.
Attention à ne pas négliger la température ambiante car j'ai souvent vu de mauvaises habitudes du genre prendre 25 degrés
Il y a quelques jours en plein soleil ça a du dépasser les 37 degrés facilement.
Et si un jour tu mets en oeuvre un dissipateur alors il te faudra utiliser le Rth JC du composant et le Rth du dissipateur.
Voir le message de mag1 pour la tension VCE
Dernière modification par Vincent PETIT ; 10/09/2016 à 19h39.
bonjour,
donc p dissipé devient =0.150*0.4=0,6w donc élevation de 200*0,6=120°cle Vce est autour de 150mV..
t=150 donc on est au maxi sila tempature ambiante =30°c temp= 150°C
ça c'est theorique donc on doit prendre un peu de marge
on peut donc considerer que sans radiateur ce transistor permet donc de faire passer 300mA
ce que je voulais savoir c'est si mon raisonnement est correcte?
cordialement
Alain
Décider de faire, c'est bien . Décider quand, c'est mieux !
Bonsoir
0,15*0,4 = 0,06 donc que dalle!
verifie cependant qu'il n'y a bien que 150mV en saturation et n'oublies pas que la commutation n’étant pas immédiate il existe des moments ou le courant est déjà grand et la tension pas encore petite, c'est la toute la joie des calculs de dissipation en commutation.
Cette dissipation croit avec la fréquence.
Le piège classique c'est le claquage secondaire (secondary breakdown en godon):https://en.wikipedia.org/wiki/Safe_operating_area
JR
l'électronique c'est pas du vaudou!
Ma calculatrice donne 0,06W et pas 0,6W.Envoyé par alainav1
Donc c'est plutôt 12 degrés pour l'élévation en température du boîtier.
Ensuite le raisonnement est bon, on ajoute la température ambiante et cette somme doit être en dessous de Tj sinon fumée noire.
Re
en clair il faut faire en sorte que le transistor commute vite donc pousser du courant dans la base et ensuite destocker au plus vite.
mais si la commutation est faite à basse fréquence il n'y aura pas trop de soucis, ceux ci apparaissant vers qqs kHz.
JR
l'électronique c'est pas du vaudou!
Bonjour,
dans la FT en page 2, il donne un Vce Sat maxi de 0,7 volt pour Ic=500 mA et Ib= 50 mA, ce qui fait 350mW ce n'est pas négligeable.
Dans la pratique, il est souvent intéressant de trié les composants, pour une même référence, en fonction de leur provenances, les différences réel de leurs caractéristiques est souvent étonnante.
merci bien pout toutes cs precision
j'y vois plus clair
cordialement
Alain
Décider de faire, c'est bien . Décider quand, c'est mieux !
Ouais ... et quand on doit réparer une carte, comment on sait que c'est un BC337 trié sur le volet et pas un BC337 Français moyen ????
Faire un tri est très dangereux pour la maintenance . C'est de la mauvaise bidouille !
Surtout qu'il suffit de prendre les caractéristiques min/max de la datasheet .
J'aime pas le Grec
