> Mon hacheur commute sous 14-15KHz. Je ne crois pas qu'on laisse le temps
> à l'inductance du moteur de se déchargé vu à la vitesse à laquelle on commute.
Mon explication ci-dessus aurait été valable si tu avais utilisé une charge de test (résistance...)
Comme c'est bien le moteur qui a été utilisé, ça ne s'applique pas.
Tu dis que les fils sont les sorties HO... je suppose que c'est les LO, en fait.
Ressors ton oscillo :
- mode double trace
- trace A : Vgs du MOS
- trace B : Vds du MOS
Cadre pour avoir une période, on verra mieux les oscillations. D'ailleurs, zoome sur les oscillations...
Place les sondes sur la platine avec les MOS (pas sur l'autre), en mode X10 pas X1, avec le clip de masse directement sur la source du MOS.
> j'ai soit les MOSFETS qui conduisent, soit la diode de roue libre
Oui, ou les 2 en même temps... tu as mis quoi comme diodes ?
Tu as quoi comme découplage dans l'alim de la partie puissance, à moins de 5 cm des MOS ? D'ailleurs, comment est câblée l'alim ?
> _Pourquoi chauffe-t-il alors que d'après les calcules il ne devrait pas?
probable qu'il oscille
> je ne peux pas mettre les DRIVERS sur la carte avec les MOS car problème de package
raccourcis les fils le plus possible et torsade-les, et sur la version finale, mets tout sur le même PCB
en l'état ça ne peut pas marcher...
> Mais je vais travaillé sur les choix des DRIVERS
oui, il te faut un driver mieux adapté (et tu peux aussi changer de MOS...)
Heu... ça me semble clair !2) le gate des transistors MOSFET représente une capacité d'asser grosse valeur ( Qg typique du IRFB23N20D = 57nC) pour charger ou décharger une tel capacité en 30nS, il faut un courant de 2A. A multiplier par le nombre de transistor en //...
La grille du MOS est une capacité, pour faire commuter le MOS il faut la charger. Comme la capacité est nonlinéaire on te donne Qg, c'est la quantité de charge qu'il faut pomper dans la grille pour avoir une commutation franche. Et I=dQ/dt, donc pour envoyer 57nC en 57 ns il faut 1A dans la grille...
Quand tu choisis ton MOS tu fais toujours un compromis entre un MOS rapide (qui aura peu de pertes de commutation mais une RdsON plus alevée) ou un MOS plus gros, plus lent, donc avec des pertes de commutation plus élevées mais une RdsON plus faible. Le choix du MOS et du driver, ça va ensemble, il faut que les 2 soient bien assortis.Dépendant de la qualité de la commande des transistors, il n'est pas toujours intéressant de visé un RDS ON très faible, car cela peux engendré une augmentation des pertes de commutations plus élévé que la diminution des pertes une fois commuté.
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