Alors j'ai ceci en résultat: Pour Ve=25uV, h11=1ko, B=200
Ve=h11.Ib --> Ib= 25nA
Vs= -Rc.Ic = -Rc.B.Ib --> Vs= -11mV et Ic=-5uA
Comment en déduire Is? Vaut-il Ic?
Vous avez raison d'avoir un doute
Vous avez trouvé l'équation de la droite de charge: Vceo=Vcc-Ic0(Re1+Rc1)
Pour la tracer:
si Vceo=0 => Ico=Vcc/(Re1+Rc1) vous mettez ce point en ordonnée (axe Ic)
si Ico=0 => Vceo=Vcc
Pour placer le point de repos:
Vous avez trouvé Ib0=(Eth-Vbe0)/(Rth+Re1.B) on peut négliger le terme Rth par rapport à Re1.B
=> Ibo=(Eth-Vbe0)/Re1.B
Soit Ico=B.Ibo=(Eth-Vbe1)/Re1 vous pouvez placer ce point sur votre droite de charge, c'est votre point de repos.
Ce qui donne les coordonnées Pr(7.9v;5mA)
Voici donc ma droite de charge statique et ses calculs. Désolé pour la qualité.
Pour le reste des calculs:
Calcul de ie
- Je détermine Rth de R1//R2 = 3,579ko
- J'en déduis irth= Ve/Rth = 6,98nA
- Loi des mailles: ie=ib+irth = 31,98nA?
Calcul de is:
- Je calcule irc traversant Rc: irc=Vs/Rc= -5uA
- Loi des mailles: is=irc+ic = -5uA+-5uA = -10uA?
Hello. Il manquerait pas un composant dans la loi des mailles utilisée pour exprimer IB0 ?
Mmmhhh à quel Ibo faites-vous référence (quelle conversation?).
J'en ai calculé tellement que j'en deviens
haha je vous comprend ça fait beaucoup en une seul fois ^^ et bien je répondais au msg d'avant et je parlais de Rth mais le msg #32 dit que c'est négligeable c'est pas faux d'ailleurs bien que l'énoncé demandais son calcul à la question 3) (également pour Eth) , le souci est que je ne trouve pas votre réponse a cette question ? ( A priori ça consiste a utiliser le thme de thevenin au niveau de la base du Transistor)
Dernière modification par mizambal ; 18/01/2018 à 18h40.
Oui c'est ce que Chtulhu s'est efforcé à m'apprendrehaha je vous comprend ça fait beaucoup en une seul fois ^^ et bien je répondais au msg d'avant et je parlais de Rth mais le msg #32 dit que c'est négligeable c'est pas faux d'ailleurs bien que l'énoncé demandais son calcul à la question 3) (également pour Eth) , le souci est que je ne trouve pas votre réponse a cette question ? ( A priori ça consiste a utiliser le thme de thevenin au niveau de la base du Transistor)
Donc pour reprendre: Les condensateurs ont une impédance infinie, donc équivalent à un circuit ouvert.
Rth=R11//R21= R11.R21/(R11+R21) --> Rth=3,759Ko
Eth correspond à la tension aux bornes de R21, donc Eth=Vcc.R21/R11 = 5,73V (pont diviseur de tension).
Je pense avoir bon jusqu'à la question 9, à savoir:
Calcul de ie
- Je détermine Rth de R1//R2 = 3,579ko
- J'en déduis irth= Ve/Rth = 6,98nA
- Loi des mailles: ie=ib+irth = 31,98nA?
Calcul de is:
- Je calcule irc traversant Rc: irc=Vs/Rc= -5uA
- Loi des mailles: is=irc+ic = -5uA+-5uA = -10uA?
Oui c'est bon.Voici donc ma droite de charge statique et ses calculs. Désolé pour la qualité.
Pièce jointe 358589
Oui c'est bon.Pour le reste des calculs:
Calcul de ie
- Je détermine Rth de R1//R2 = 3,579ko
- J'en déduis irth= Ve/Rth = 6,98nA
- Loi des mailles: ie=ib+irth = 31,98nA?
Il était plus rapide de faire ie=ve/Re
ve est donné (25µV) et Re a été calculé antérieurement (Re=R1//R2//h11= 781 Ohms)
Donc ie=25.10^-6/781=32nA
Idem, il faut savoir se servir de ce qu'on a calculé précédemment.Calcul de is:
- Je calcule irc traversant Rc: irc=Vs/Rc= -5uA
- Loi des mailles: is=irc+ic = -5uA+-5uA = -10uA?
is=vs/Rs=-Rc.B/h11*ve=-2.2.10^3*200/1000*25.10^-6=-5µA
Ok ok j'étais embrouillé en cherchant Rs mais Zs=Rs.
Effectivement les calculs étaient simples à poser, peut-être trop simples pour que j'y pense immédiatement.
Au moins ça m'a permis de voir la réciprocité des formules
Je pense que cet exercice est maintenant terminé et complet.
Merci encore à vous tous pour vos conseils et explications.
Prochaine étape: les transistors à effet de champ JFET.... Désolé mais je pense que je repasserai vous voir.
A bientôt.
Ok, à bientôt alors.
J'ai une dernière question néanmoins.
Elle concerne la toute 1ere question.
Pour moi, les condensateurs ont un rôle important. Je pense donc que C11 et C21 doivent être inclus dans le 1er étage.
C21 et C22 dans le second.
C21 est donc dans le 1er et le 2ème étage.
Est-ce cohérent à vos yeux?
Dois-je prendre Ve et Vs dans ces étages?
Oui.
Même si l'étude de ces condensateurs n'est pas prévue vous pouvez les déterminer.
C11 forme un passe haut avec la résistance d'entrée Re et C21 sera en série avec Rc et forment un diviseur potentiométrique avec RL (qui est la résistance d'entrée du 2eme étage).
De là vous calculez la fonction de transfert A=vs/ve et selon l'atténuation désirée à f0 on calculera Ao=20log|A/A(inf)| pour obtenir C21.
Idem avec le 2eme étage mais vous n'aurez à calculer que C22.
Vous pouvez aussi étudier l'influence du dimensionnement de C31 et C32.
Merci pour ces informations.
Je vais commencer l'étude des condensateurs avec mes maigres cours et j'essaierai de résoudre cette étude quand j'en saurai un peu plus.
Pour ceux que ça intéresseraient et qui tomberaient sur ce forum, voici quelques liens qui m'ont également aidés:
- http://claude.lahache.free.fr/mapage...transistor.pdf
- http://www.bedwani.ch/electro/ch14/