Réalisation d'un amplificateur de puissance
je veux réaliser un amplificateur de puissance qui reçoit en entrée un signal délivré par un GBF(fonction génerateur) dont la fréquence est autour de 50kHz et dont l'amplitude est assez faible (ne dépassant pas 10V). Le circuit délivrera un signal de la même forme et ayant une puissance entre 50 à 200 W, avec une tension de sortie ne dépassant pas 100V.
Y at-il un circuit qui répond à ces conditions ? aide moi svp
OULA
quelles sont tes expériences en électronique de puissance ?
ça n'est pas trivial.....
même un moustachu prendra le dossier avec précautions !
[b]le bon sens est un fardeau, car il faut s'entendre avec ceux qui ne l'ont pas [/b]
Franchement, je n'ai aucune expérience antérieure dans le domaine, le professeur nous a demandé de faire une recherche sur le sujet
VEfficace ?Envoyé par medomaxoui
Si oui, faut un ampli capable de sortir du +180V à -180V .
La charge de 200W, c'est une résistance pure ? Donc 50 Ohm .
tu as intérêt à acheter les transistors en grande quantité et avoir deux cartons :
- Un pour les transistors bons
- Un pour les transistors explosés
j'aime beaucoup cette génération de prof !
" voilà le sujet du jour , mais comme j'y connais rien , cherchez sur internet"
le prochain gros coefficient de l'agrégation sera : comment chercher le boulot des autres sur Google.
[b]le bon sens est un fardeau, car il faut s'entendre avec ceux qui ne l'ont pas [/b]
BONJOUR à toi (ça mange pas de pain!)
D'aprés de que j'ai compris de ton deuxiéme message on ne t'a PAS demandé de REALISER un
tel ampli...on te demande de faire des RECHERCHES SUR LE SUJET.
C'est pas tout à fait pareil !!
Faut commencer par " comprendre" la question.
Bonne journée
Salut.
S'il ne s'agit que de recherche sur le sujet, tu peux t'inspirer des amplificateur verticaux et horizontaux des oscilloscopes analogiques. Avec comme restriction la partie "puissance" qui ne répondra pas à tes critères. Pour l'étage final (celui qui est sensé délivrer en 50 et 200 W) il te faudra t'inspirer des push-pull de puissance d'amplificateurs audio. Pour rappel les amplis d'oscilloscopes (analogiques) délivrent une tension de sortie correspondant à ce que tu souhaite. Et bien entendu, inutile de te compliquer la vie avec les étages d'entrées et leurs atténuateurs et la largueur de bande passante.
Bonjour,
Tu peux regarder les schémas proposés dans : http://cds.linear.com/docs/en/applic...note/an18f.pdf (même si c'est pas tout jeune...)
Ou les circuits intégrés de chez Apex µTech. : https://www.apexanalog.com/products/..._selector.html
Suivant les contraintes, un ampli en classe D pourrait éventuellement convenir.
Dernière modification par Antoane ; 26/02/2018 à 14h57.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Salut Med... .
Une précision .
On t'a déjà demandé ...c'est 100 Volts efficaces ou 100 Volts crête à crête.?
Jac.
Dernière modification par jacounet86 ; 26/02/2018 à 18h26.
Il me semble vue la fréquence 50K que le plus simple serai un transfo ferrite en sortie avec un ampli classe B si rendement pas important ou classe D avec fréquence de découpage autour de 200K 500K si rendement important. tension alim 2x24V à 2x48V ou en pont avec tension mono
Salut.
Il y-a un schéma d'ampli classique à transistors bipolaire et avec deux MOSFET N en sortie ( ce qui est pratique et original ) sur internet .
C'est un ampli BF , mais je suis sûr qu'en mettant les transistors qui vont bien , des 150V de Vce et Vds , et un Ft de 50 à 100 MHz on devrait pouvoir sortir 200 Watts sous 50 Ohms avec un signal de 50 kHz sinus .
Je l'ai testé sous Isis , et il tient les 200 Watts sous 8 Ohms avec une alim + et - 60 Volts .
Ici ..., il faudrait une alim + et - 141,4 Volts théorique , qu'on mettra à 145 Volts en pratique pour avoir 200 Watts sous une charge de 50 Ohms .
Evidemment comme notre ami Medomaxoui , semble s'être enfui sans dire merci , je cause dans le vide .
*
A+.
Jac
Dernière modification par jacounet86 ; 03/03/2018 à 18h33.
L'idée de mon intervention etait d'explorer une piste pas encore suivie: le transformateur en sortie ce qui a mon avis simplifie grandement le dessin de l'ampli (trans bipolaire,simple alim ,basse tension).Sinon effectivement un ampli mosfet est une piste serieuse sinon unique a suivre mais pas tres simple en particulier l’attaque des mosfets. Cependant effectivement notre conversation vas vite s'eteindre faute du participant principal : notre ami Medomaxoui
Cordialement Pierre
Salut.
Maintenant si ce schéma d'ampli intéresse ...en dehors de Medo. , je peux le mettre sur ce poste , on restera dans le sujet .
Je l'ai testé sous Isis avec des composants Spice pour les MOSFET ( IRFP250) , ...il semble fonctionner sans distorsion visible sur les graphiques , jusqu'à 30 kHz avec des composants tenant 120 Volts , sous une alimentation de + et -60 Volts .
Les 2 bipolaires driver des MOSFET tiennent 3 A sous 120 Volts ...et les 8 autres bipolaires BC 546 et 556 tiennent aussi 120 volts .
Il semble tenir 200 Watts utiles avec un haut parleur 8 Ohms .
Les MOSFET consomment 5 Ampères crête ...dans cette configuration .
Il semble intéressant car Il fonctionne avec 2 MOSFET N , ça éviterait sans doute de trouver des MOSFET Japonais N et P appairés et chers , bien connus .
Je l'ai simulé sous 4 Ohms en sortie , ...il faut baisser un peu le volume sinon ça écrête ,et je mesure 400 Watts utiles ( ou moyens) ...mais là ça reste à confirmer ...par la pratique sur maquette .
Ca parait plausible , les IRFP 250 pouvant dissiper plus de 200 Watts de mémoire , ils ont un rDS"on" de quelques milli Ohms , et supporte plus de 30 A pointe ... et un V DS de 120 Volts .
A+.
Jac .
Dernière modification par jacounet86 ; 03/03/2018 à 23h51.
Bonsoir,
On ne va pas refaire un cours sur les amplis (audios) linéaires ici, mais juste deux ou trois points :
- les transistors MOSFET fonctionnent en saturation (i.e. @Vds >> Rdson*Id, i.e. @Vgs ~ Vgs,th) dans un ampli linéaire, le Rdson a donc un intérêt très marginal ;
- Attention à la SOA des transistors : le IRFP230 n'est pas spécifié pour un fonctionnement linéaire (cf. Fig. 8), il y a risque de création de points chauds, résultant en une destruction rapide du composant ;
- 200 W de dissipation... Sur radiateur infini idéal. Bien moins en pratique, même avec un bon refroidissent à eau.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Salut.
Les cours on en prend tous les jours ...le site est là aussi pour ça .
D'accord sur tes remarques ,...c'est juste à tester , et surtout trouver le bon MOSFET N, sous Isis mes MOSFET Spice les plus balaises sont les IRFP250.
Mais sii quelqu'un a le temps de mettre Un IRFP250 sur un big radiateur , de lui mettre 60 Volts dans les dents sur une charge 4 à 8 Ohms , de le commander sur sa gate de 7 à 12 Volts et voir ce qui se passe..
Pour éviter les surchauffes éventuelles , prendre large en courant pour le MOS FET et ne pas tenter le diable au niveau des tensions d'alim ( + et - 60 Volts devraient suffire )...ni des charges trop faibles 4 Ohms semble limite.
Maintenant , le fil à plomb c'est le test en réel .
J'ai un ampli économique de sono , fait de 4 ampli 130 Watts ( MUR =>Moyens, Utiles, réels) , qui fonctionne avec 2 NPN N3772 en sortie , au prix d'un défaut , 0.150 V continu en sortie , pas trop méchant pour les HP , c'est un schéma loufoque , mais ça fonctionne , même sous 4 Ohms HP .
A+.
Jac .
Pourquoi tu dis que l'IRF250 n'est pas specifié en linéaire alors que tu renvoi a un sao en linéaire? Ou alors j'ai rien compris
Salut .
Sur ton document .
"ON" fait référence à un ouvrage datant de 2000 , je sais qu'on n'a pas fait des progrès énormes en 18 ans en matière de fonderie du silicium , mais l'IRF 530 cité sous un schéma date un peu aussi.
En plus "ON" semble avoir un brevet permettant de détecter la température des puces MOSFET ...pas de quoi hurler au complot , mais y-a toujours matière à réfléchir sur le "pour" et le "contre" de leur preuves techniques.
Comme à mon avis y-a pas beaucoup de progrès technologiques depuis des années , vu les budgets/investissements toujours au ras des paquerettes en matière de recherche , chacun trouve un petit "plus" pour sortir du lot .
Je ne dis pas que "ON" n'a pas trouvé une solution , ni que leur remarque sur le point d'inflexion dans la courbe de conductance est pipo , de là à dire qu'un MOSFET qui peut tirer 50à 100 A en impulsionnel , ne pourra pas tirer 5 A crête en linéaire ...je fais comme l'arbitre au rugby => image vidéo , pour contrôler .
Donc ma remarque y-a que le maquettage qui peut faire juge de paix ...est toujours bonne .
A+.
Jac .
Bonjour,
Abus/erreur de langage, désolé : ce transistor n'est pas spécifié pour fonctionner de manière continue en saturation, i.e. @Vds >> Rdson*Id, i.e. @Vgs ~ Vgs,th.Pourquoi tu dis que l'IRF250 n'est pas specifié en linéaire alors que tu renvoi a un sao en linéaire? Ou alors j'ai rien compris
C'est visible en Fig. 8 : il y a une SOA pour des pulses de10 µs, pour 100µs, pour 1ms, pour 10 ms mais pas pour le DC. Vishay suppose que l'utilisateur ne fonctionnera en DC qu'en régime passant/bloqué (i.e. @Vgs<< Vgs,th ou a Vgs >> Vgs,th).
Si ce n'est pas clair : il faut faire attention avec les termes "fonctionnement saturé" et "fonctionnement linéaire" qui veulent dire l'opposé dans la cas du MOSFET et du transistor bipolaire :
- pour un courant de collecteur donné, le Vce est minimal lorsque le transistor bipolaire (BJT) est saturé,
- pour un courant de drain donné, le Vds est minimum lorsque le mosfet est en fonctionnement linéaire.
Oui, à condition que le test soit bien conçu : tester un unique composant pendant un court instant (par rapport au temps pendant lequel il est supposé fonctionner dans un dispositif commercial) n'est pas pertinent. C'est l’histoire du gars qui te dit qu'il a grillé le feu rouge hier soir et qu'il n'en est pas mort, donc qu'il n'est pas inutile de s'y arrêter d'une manière générale.Maintenant , le fil à plomb c'est le test en réel .
La question demeure très actuelle :
sur IEEE : http://ieeexplore.ieee.org.proxybib....1900_2018_Year
Je n'ai pas accès à https://www.journals.elsevier.com/mi...s-reliability/ sur ce PC, mais je pense que tu pourras y trouver pas mal de résultats.
Il faut penser aussi que la recherche académique se focalise actuellement principalement sur les semi conducteurs à grand gap (SiC, GaN) : beaucoup d'argent est mis sur la table pour leur développement et cette recherche ne travaille plus beaucoup (ou en tous cas beaucoup moins) sur le silicium.
http://cds.linear.com/docs/en/lt-jou...anEddleman.pdf
https://www.researchgate.net/publica...rdened_MOSFETS
etc.
Pis bon, l'auteur cite un document de 2000, certes, mais si On Semi. publie en 2014, c'est que ce n'est pas complètement obsolète non plus...
Je ne vais pas détailler car les réactions du type "j'y connais rien, je ne suis pas au fait des problématiques, je ne ferai pas l'effort d'aller chercher à me renseigner mais ce n'est pas grave car j'ai un avis quand même" me gonflent au possible donc juste un point évident : On Semi ne s'est pas basé sur un unique papier vieux de 14 ans pour rédiger son app-noteEn plus "ON" semble avoir un brevet permettant de détecter la température des puces MOSFET ...pas de quoi hurler au complot , mais y-a toujours matière à réfléchir sur le "pour" et le "contre" de leur preuves techniques.
Comme à mon avis y-a pas beaucoup de progrès technologiques depuis des années , vu les budgets/investissements toujours au ras des paquerettes en matière de recherche , chacun trouve un petit "plus" pour sortir du lot .
Je ne dis pas que "ON" n'a pas trouvé une solution , ni que leur remarque sur le point d'inflexion dans la courbe de conductance est pipo , de là à dire qu'un MOSFET qui peut tirer 50à 100 A en impulsionnel , ne pourra pas tirer 5 A crête en linéaire ...je fais comme l'arbitre au rugby => image vidéo , pour contrôler .
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Ton affirmation "Vishay suppose que l'utilisateur ne fonctionnera en DC "est une affirmation baser sur quoi?.
En fait le SOA pour les mos ai la courbe de puissance max car si les mos peuvent developer des points chauds ils n'ont pas d'effet cumulatif (coefficient de temperature positif) comme sur les bipolaires et il n'y a pas de" second claquage" si penalisant sur les bipolaires.
http://pdf.datasheetcatalog.com/data.../283514_DS.pdf figure 4 ici le DC est specifié et il correspond a la courbe de puissance max.
Salut.Bonjour,
Oui, à condition que le test soit bien conçu : tester un unique composant pendant un court instant (par rapport au temps pendant lequel il est supposé fonctionner dans un dispositif commercial) n'est pas pertinent. C'est l’histoire du gars qui te dit qu'il a grillé le feu rouge hier soir et qu'il n'en est pas mort, donc qu'il n'est pas inutile de s'y arrêter d'une manière générale.
Je ne vais pas détailler car les réactions du type "j'y connais rien, je ne suis pas au fait des problématiques, je ne ferai pas l'effort d'aller chercher à me renseigner mais ce n'est pas grave car j'ai un avis quand même" me gonflent au possible donc juste un point évident : On Semi ne s'est pas basé sur un unique papier vieux de 14 ans pour rédiger son app-note
Je n'ai pas dis j'y connais rien ,...je n'ai pas dis non plus je ne veux pas chercher ,...et je n'ai pas dis non plus "ON" notre sauveur grand bien vous fasse vos recherches .
Etre méfiant par nature n'est pas interdit .
On est d'accord sur un point "il faut que le test soit bien conçu ".
Tu as d'ailleurs parfaitement le droit de penser que je suis un fainéant ( ce que je suis devenu) , ...et que ça te gonfle ...c'est pas grave .
Donc je pense qu'on perdrait moins de temps , à tester un ampli avec 2 MOSFET N passant 180 A sous 120 Volts d'après ses data sheet , en leur laissant passer 5 A pointe , qu'à chercher à pousser au max sur de la doc , et voir si ça pourrait passer ou pas ...mais je n'empêche personne de faire le contraire ...
Je suis aussi un ancien sportif "zen ", donc ça ne me gonfle pas .
Tous les points de vue sont envisageables .
A+.
Jac
Bonjour,
Effectivement, si la datasheet fournie par Intersil donne une courbe DC sur la SOA, Vishay ne le fait pas.
Je ne sais pas si ça rentre dans la définition du secondary breakdown, mais si le Rdson d'un MOSFET est à tempco > 0, celui du Vgsth est < 0. Il y a donc risque d’emballement (local).
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Salut.
Bon c'est bien ce qu'il me semble avoir compris des data sheet sur la "Surface ...etc"
Quand Wishay , IXYS, On , IRF , disent que leur MOSFET peuvent passer 1000 A pointe pendant 10 µs , cela correspond bien à une quantité d'énergie accumulée en dissipation calorique par le silicium ( 10 ,20 ou 100 puces ou plus en // sur un même support interne ) pendant ce temps de conduction .
Donc le même MOSFET passera à peu près 10 fois moins de courant pendant 100 µs , ...jusqu'à passer plus de 10 A en continu .
Maintenant on parle en saturé je suppose, avec une gate à 10/12 Volts , et sous 5/7 Volts gate on ne passe peut-être plus que 5 A en continu ...ce qui sera suffisant pour un ampli BF 200 Watts sous 8 Ohms ( alim en +- 60 Volts ) .
Et si ça tient pas on en met 2 voir 3 en // sur un radiateur ...non ?.
A+.
Jac
Salut .
Cela montre ,...à mon avis , une guerre de communication/commerce entre constructeurs ,...et que la prudence est de mise .
J'ai commandé deux types de MOSFET en Chine , pour ma future ,( en construction ) soudeuse à décharge de capa :
des IXFK N10 de chez Ixys qui passe 560A sous 100V pendant 100µs ( 500 Watts dissipables max)...ils font 2 cm de large sur 2.5 cm de haut .(en corps)
des IRFP4468 , qui passent 1100A sous 100 V pendant 100 µs (520 Watts dissipables)...ils font 1.5 cm de large sur 2 cm de haut .
A mon avis vu la surface des boitiers de chaque type , y-en a forcément un qui truande , les semelles ayant la même épaisseur .
On verra aux essais , j'ai d'abord monté les IXYS , 20 en// , sur un radiateur alu balaise, ventilé .
C'est pour ça que je dis essais d'abord , pas à l'aveugle bien sûr , évident en tenant compte des datas sheets , pollués sans doute par une guéguerre commerciale .
A+.
Jac.
