Révision des bases : le mosfet.

[activmaker]

Bonjour,

Je cherche à comprendre le fonctionnement des mosfet. J'ai beau lire et voir plusieurs exemples, un truc m'échappe.
Dans mes boites j'avais un type N (2N7000) . J'ai réalisé le montage suivant :
Mosfet1.png


Si je met la gate sur du 3.3v =>le mosfet conduit car vgs >vth (0,8 min d'après le datasheet ), vsd proche de 0, ok . Si la gate est à 0v le transistor se bloque. Jusqu'à la tout va bien je comprends . Mais si je fais ce montage la :

Mosfet.png

Quand la gate est sur du 3,3v le mofset conduit partiellement , la tension sur RLOAD est de 1,43V => vds=3,57..C'est la que je bloque. vgs étant toujours > vth (1,87v) , normalement Q1 devrait conduire ?


DATASHEET 2N7000

D'avance merci.
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[gwgidaz]

Bonjour,

Dans ton second montage, tu n'appliques pas 3,3 V entre gate et source, car il y a la résistance dans la maille d'entrée. Mesures la tension entre gate et source et tu verras qu'elle est petite...
C'est le montage à "collecteur commun " ou "drain commun"

[activmaker]

Bonjour,

Merci pour cette réponse. J'avais déjà mesuré le vgs à 1,87. Ca me semblait correct car 3.3-1,87-1,43=0. Cette réponse m'oriente maintenant vers un problème de lecture de la datasheet. Je pensais que 0,8 était nécessaire pour rendre le transistor passant mais j'ai un doute. On y parle d'un minimum de 0,8 et d'un max de 3v...Et dans les courbes on voit plutôt des tension VGS >3v ....Je suis perplexe mais je pense que ce transistor ne fonctionne pas en saturation avec de telles tensions..

[gwgidaz]

Bonjour,

Il y a toujours des dispersions importantes sur les valeurs des tensions de blocage, selon le transistor.
Par ailleurs, le blocage ne fonctionne pas par tout ou rien, il y a une zone où le courant varie en fonction de Fgs....

[A voir en vidéo sur Futura]

[invitee05a3fcc]

le mosfet conduit car vgs >vth (0,8 min d'après le datasheet ), vsd proche de 0, ok . Si la gate est à 0v le transistor se bloque. Jusqu'à la tout va bien je comprends .

Non ! Tout va mal !
Le Vth, c'est la tension max qu'on peut appliquer pour que le NMOS ne conduisse pas (Id<1mA).
Pour rendre le NMOS conducteur , il faut regarder le Static Drain−Source On−Resistance
et, avec Vgs=4,5V, il a une résistance interne max de 6 Ohm pour un courant drain de 75mA