[Analogique] Transistor bipolaire en commutation
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Transistor bipolaire en commutation



  1. #1
    aqwzsx99999

    Transistor bipolaire en commutation


    ------

    Bonjour à tous.

    Je dois faire un montage pour avoir la tension appliquée au collecteur à l'émetteur quand la base est alimentée et 0V à l'émetteur quand la base n'est pas alimentée.

    Voici le schéma. A droite le transistor bloqué et à gauche le transistor saturé.

    transistor commutation.png

    On peut lire une tension de 4V et quelques quand il est saturé, mais j'aimerais avoir les 40V que j'applique au collecteur. Tous les montages que j'ai pu voir mette la résistance que j'ai au niveau de l'émetteur au collecteur. Quand je fais ça ça fonctionne. Cependant j'aurais besoin de récupérer ce 40V au niveau de l'émetteur.

    Si vous avez des idées je suis preneur.
    Bonne journée à tous.

    -----
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  2. #2
    PA5CAL

    Re : Transistor bipolaire en commutation

    Bonjour

    Le schéma présente un montage à collecteur commun. Pour pouvoir saturer le transistor, il faudrait présenter sur la base du transistor une tension supérieure à la tension sur le collecteur.

    Pour rappel, un transistor saturé présente généralement une tension collecteur-émetteur VCE(sat) de l'ordre de 0,2V, pour une tension base-émetteur VBE(sat) de l'ordre de 0,7V (les constructeurs spécifient les valeurs selon les modèles et les conditions de fonctionnement). Si l'on mesure 4V sur l'émetteur quand on a 40V sur le collecteur (soit VCE=36V), alors le transistor n'est certainement pas saturé, il est juste passant.

    Avec les valeurs de résistance du schéma et une tension de 40V au niveau du collecteur, soit un courant d'émetteur IE d'environ 4mA, si l'on admet qu'on garantit la saturation avec un gain en courant βsat=IC/IB=10, alors il faudrait porter la tension de commande VCOM à environ 41,4V (soit VCOM=VQ1–VCE(sat)+VBE(sat)+R2·IB avec IB=IE/(1+βsat) ).

    Mais comme j'imagine que dans le cas présent on a VCOM=5V, il faudra recourir à un autre type de montage, par exemple comme celui-ci :

    Nom : HiSide.png
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    (La résistance de 1,8kΩ sert à garantir une dé-saturation efficace et rapide du transistor PNP.)

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