Bonjour,
J'essai de réaliser une procédure double pulse sur mes petits mosfet pour avoir quelques courbes. notamment les temps de commutation et les éventuels "overshoot".
Le principe consiste à envoyer deux pulses (sur la gate) pour fermer et ouvrir les Mos dans une intervalle de 1us environ. Le circuit est simple, Un MOS, une tension appliqué entre le drain et la source et le nécessaire pour envoyer deux pulses sur la gate (gbf, driver...).
Ci dessous le signal théorique et logique que l'on doit obtenir :
double_pulse.png
Pompé d'internet, on doit avoir en jaune VDS, violet le signal de la gate et bleu le courant IDS
Quand j'essai de faire cette procédure double pulse j'ai des oscillations qui apparaissent lors de l'ouverture du Mosfet. Mais d'une valeur > 10X la tension appliqué a vds. Quand j'essai de retrouver ce signal en simu je dois intégrer une inductance d'environ 1000n pour faire apparaitre de tels oscillations, ce qui me semble peu probable car j'ai limité au maximum la longueur des cables.
signal_expe.png
Voila ça fait quelques jours que j'essai de comprendre d'ou ça vient, si quelqu'un à déjà réalisé cette procédure ou s'y connait...
Merci
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