Je réitère mon probème d'il y a quelques semaines car mes interlocuteurs de leurs propres aveux n'avaient pas les compétences en mécanique des solides pour répondre à mon idée de possibilité d'extraction d'énergie du vide.
Imaginons donc un transistor de silice, matériau semiconducteur et piezoélectrique de grande surface mais d'épaisseur aussi faible que ce qu'on peut faire aujourd'hui, 100nm me semble t'il. Il est métallisé à chaque face et placé dans une enceinte à vide.
Un circuit électrique externe à l'enceinte rend la jonction emetteur/collecteur tantot conducteur tantôt isolante par des impulsions électriques sur sa base.
Le coeur du transistor est donc soit transparent aux fluctuations electromagnétiques du vide, soit opaque, avec les variations de pression qui vont avec et la génération d'électricité piezo électrique qui va avec, VRAI OU FAUX ?
On peut toujours m'objecter qu'il faut bien un apport impulsionnel d'électricité pour faire varier l'état du transistor vis à vis du vide, mais il faut prouver que cet apport est égal à la génération d'électricité piezo produite (au moins théoriquement).
Merci par avance.
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