Bonjour à tous!!!!
Nous avons fait un TP de microscopie à effet tunnel (STM) sur du graphène et le mode spectroscopique à rampe de tension (on garde z constant on fait varier la tension appliquée et on observe I) nous a permis d'observer 2 comportements: l'un est semi-conducteur, normal c'est du graphène, mais l'autre est conducteur.
Il est possible que cette différence de comportement s'explique ainsi: lorsque l'on regarde les plans atomiques la position de certains atomes coïncident avec d'autres atomes du plan atomique infèrieurs. Ceci modifierait alors leur propriétés électroniques. Cependant j'aimerais en savoir un peu plus...
Merci
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. Déjà, c'est la dérivée du courant tunnel par rapport à la tension de polarisation (conductance différentielle dI/dV) qui est proportionnelle à la densité d'états électronique locale de l'échantillon convoluée par la dérivée de la fonction de Fermi-Dirac par rapport à la température...A température nulle, cette dérivée tend vers un dirac et on a stricte proportionnalité entre la conductance différentielle dI/dV et la densité d'états...