Bonjour,
A partir de l'expression une expérience de dopage d'un semi-conducteur d'arséniure de gallium avec du silicium. A t = 0, N0 atomes par unité de volumes sont introduits en x = 0 à la surface d'une plaquette d'AsGa considérée comme semi-infinie. On admet que le nombre d'atomes de silicium N(x,t) = K/sqrt(t) * exp(-ax^2/t)
expression_ N.jpg
La question est d'établir une relation entre a et D(coeff de diffusion) en supposant N(x,t) solution de l'équation de diffusion, que j'ai trouvée ici :
relation_a-D.jpg (désolé pour la mauvaise qualité)
Puis, en traduisant la conservation du nombre d'atomes introduits, ce que j'ai compris en supposant un régime stationnaire, utiliser le changement de variable u = x/2*sqrt(D*t) pour déterminer K en fonction de N0 et D.
En utilisant ce changement de variable j'ai obtenu une relation entre x et t simplifiée que voici :
relation_x-t.jpg
Et je me doute qu'il faut ensuite intégrer N entre x = 0 et x = + infini, mais je ne vois pas en quoi cela peut me permettre d'avoir une valeur de K.
Merci d'avance de votre aide
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