adaptation impédance circuit à transistor

[galou32]

Bonjour,

ce site me parait abordable pour ma compréhension et donne une approximation des impédances d'entrée et sortie de montage à transistor.

(http://meteosat.pessac.free.fr/Cd_el.../sc/monfon.htm)



Puis je, pour un oscillateur de Colpitts base commune, considérer que Zout est proche de l’impédance de la bobine (qui remplace Résistance du collecteur) à la fréquence de l’oscillateur. (avec L=81uH j'ai environ 500 Ohm à 1MHz)

Ou bien cette impédance Zout serait plutôt proche du circuit "L-C1-C2"(avec L=81uH et C1 =C2=470pF j'ai environ 4500 Ohm à 1MHz).

ou bien c'est plus compliqué...

Merci
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[penthode]

c'est plus compliqué

c'est pourquoi , puisqu'on est pas à l'€ prés en bidouilles amateur ,
il est conseillé d'insérer un étage tampon en sortie d'un oscillateur
ce qui règle élégamment la question.

[Patrick_91]

Hello, dit autrement et cela revient au même, il faut considérer l'impédance de charge du transistor (voir le schéma) et non pas
son impédance de sortie seulement. L'impédance de charge c'est la mise en parallele de l'impédance de sortie du montage avec l'impédance de charge ou de l'étage suivant.
Le choix du montage et les carractéristiques du transistor doivent être pris en compte .
A PLUS

[gwgidaz]

Bonjour,

Un oscillateur n'est pas un système linéaire, à la mise en route, l'amplitude de l'oscillation augmente jusqu'à atteindre une non linéarité qui adapte le gain nécessaire à l'entretien( gain de boucle unité) . Donc si on récupère de l'énergie de l'oscillateur, le signal diminue peu et si on charge encore plus ,vient un moment où le transistor arrive dans sa zone linéaire, et à epsilon de plus, il "décroche".
Moralité : on ne définit pas l'impédance de sortie d'un oscillateur, on le charge par une impédance suffisamment grande pour ne pas trop perturber l'oscillation. C'est le rôle de l'étage tampon dont on t'a parlé.

[A voir en vidéo sur Futura]

[galou32]

Ok merci à tous,

j'ai donc mis un étage tampon en collecteur commun à transistor (montage de base).

particularité que je n’ai pas trouvé sur des schémas: j'ai mis en // de ma résistance émetteur de 220 Ohm une self de 400uH (ce qui fait ZL = 2k2 à 1MHz). qui boost un peu l'amplitude de mon signal à la sortie.

mais je posterais le schéma complet de mon émetteur. qui est presque terminée. pour que vous puissiez me conseiller.
Merci

[gwgidaz]

Ok merci à tous,

j'ai donc mis un étage tampon en collecteur commun à transistor (montage de base).

particularité que je n’ai pas trouvé sur des schémas: j'ai mis en // de ma résistance émetteur de 220 Ohm une self de 400uH (ce qui fait ZL = 2k2 à 1MHz). qui boost un peu l'amplitude de mon signal à la sortie.

mais je posterais le schéma complet de mon émetteur. qui est presque terminée. pour que vous puissiez me conseiller.
Merci

Bonjour,

Si tu mets une inductance en parallèle sur ta résistance d'émetteur, tu changes complètement le courant de polarisation du transistor. Tu peux même le mettre en danger.
Il faut maintenir les resistances de polarisation. Par contre, tu peux mettre une inductance en série avec la résistance d'émetteur, ça ne changes pas la polarisation mais la 220 ohms n'amortira plus le circuit accordé, et tça boostera un peu le signal de sortie.....