Je suis bien d'accord, le 555 est capable de délivré 200mA et je le limite à environs 45mA.
Après la réduction de 1/1.5V ne me dérange pas, sinon je n'utiliserais le 555. Je ne pense pas avoir besoin de driver.
Si je décharge rapidement les condos intrinsèques du MOS, je vais augmenter la valeur de la surtension sur le drain à l'ouverture du MOS. La largeur de surtension sera plus faible mais je n'aime pas trop l'idée d'avoir une énorme surtension sur le MOS.
Bonjour,
Quelques explications sans prétention de grande rigueur, juste pour aider la compréhension.
On voit que la tension de gate descend de 8,3 volts à 4 V en environ 250 ns (ce qui correpond à une contante de temps de 342 ns)
Cela est du à la constante de temps R attaque gate * capa entre gate et source
Si R = 220 ohms, alors, on calcule Cin = 342.10^-9/220 = 1,56.10^-9 F (1560 pF) qui est une valeur tout à fait normale pour ce type de transistor.
Ensuite, la résistance drain-source augmente donc sa tension de drain remonte.
Par effet Miller (capa interne entre drain et gate pour simplifier), la montée de la tension est freinée. Cela correspond à la partie horizontale observée sur la tension de gate.
Lorsque cette portion est passée, la tension de gate redescend avec la constante de temps d'environ 342 ns calculée (sans pinailler).
Le courant diminue dans le drain du transistor, mais sa résistance interne est alors telle que la tension de drain tente de dépasser l'alimentation ... et "essaie" d'allumer la diode de roue libre.
Si il n'y avait aucune inductance "parasite" dans le circuit, la tension de drain resterait bloquée à la tension d'alimentation + la tension de la diode passante, (environ 18 V sur le graphe)
Mais, par la présence de ces inductances parasites, le courant ne peut pas passer instantanément dans la diode (même sans tenir compte de son turn-on time) et donc une partie du courant continue à passer dans le transistor dont la résistance augmente et il y a un overshoot de la tension de drain.
Cet overshoot sera gommé quand l'entièreté du courant de la bobine passera par la diode (donc après que les inductances parasites le "permettent"). La diode passe alors tout le courant de la bobine. Ce courant décroît avec la chute de tension de la diode mais surtout via la constante de temps L/R de la bobine (L/R = 0,0055/0,7 = 0,008 s (8 ms) arrondi)
La diode reste donc "allumée" quelques constantes de temps ...
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Comme déjà précisé, la surtension pourra être atténuée en diminuant la vitesse de commutaion et donc certainement pas en utilisant un driver pour commander le gate.
Cela aura pour conséquence négative d'augmenter les pertes de commutation ... mais dans ce cas-ci ce n'est pas grave puisque la fréquence des commutations est très faible... donc l'échauffement qui en résultera sera normalement bien limité.
Dans beaucoup de cas, où on utilise des Mosfets à grande fréquence (donc pas ici), les pertes de commutation doivent être minimisées et il est souvent indiqué d'utiliser un driver de commande de gate ... il faut alors prendre d'autres types de mesures pour limiter les overshoots de tension aux bornes du MosFet. (soigner le câblage, snubbers ou écrêteurs ... mais ce n'est pas forcément facile à faire).
Dernière modification par Black Jack 2 ; 14/10/2021 à 15h29.
Bonjour,
Donc pour résumé (car je pense que j'ai toute les informations qu'il me faut pour finir mon projet).
- Faire attention aux longueurs de câbles qui induisent des inductances parasite et ont donc un impact sur l'aspect des signaux.
- La DRL doit pouvoir se mettre en marche rapidement et doit supporter l'énergie et le courant de la bobine.
- Comme je fonctionne à très très basse fréquence, je peut me permettre de ralentir la commutation de mon MOSFET (tout en restant raisonnable) afin de réduire la valeur maximal de la surtension sur le drain du MOSFET à son ouverture.
- Je ne doit pas utiliser de driver de MOSFET car cela augmenterai le L di/dt ce qui mettrais à rude épreuve mon MOSFET et ma DRL vue la valeur du courant que je commute.
- Lors du routage de mon projet, je doit faire attention au surface de boucle d'inductance sur ma fonction de commande de l'actionneur.
Je ne pense pas avoir oublié quelque chose.
