Réglage du courant d'un GBF

[VictorElec]

Bonjour,

J'ai une petite question.
J'essaie de commander un NMOS avec un signal GBF mais j'ai l'impression que le GBF n'a pas assez de courant en sortie pour le polariser.
Il se passe rien lorsque j'injectant un signal pulse de 5V sur le gate de mon NMOS. En revanche quand j'utilise une alim de labo avec 5V et 0.35A, j'arrive à polariser mon NMOS.

Est-ce que c'est possible de régler l'ampérage d'un GBF ? Si oui, comment ? Sinon, est-ce que quelqu'un aurait une autre solutions pour piloter mon transistor avec le GBF ?

En vous remerciant d'avance.
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[penthode]

hello

quelques données chiffrées seraient utiles

type de transistor

modéle de GBF ,

si la capa de gate du MOS est élevée, le GBF est peut-être à la ramasse

y faut alors passer par un ampli

[gienas]

Bonjour VictorElec et tout le groupe

..: Il se passe rien lorsque j'injectant un signal pulse de 5V sur le gate de mon NMOS. En revanche quand j'utilise une alim de labo avec 5V et 0.35A, j'arrive à polariser mon NMOS …

Ampérage et voltage ne sont pas des mots français. C’est intensité et tension.

Non l’intensité n’est pas réglable sur un GBF, d’autant qu’on ne sait rien de lui.

Tu annonces une intensité "énorme" sur ton alimentation qui n’a besoin que d’une intensité nulle.

Le problème (probablement) c’est que le GBF sort en alternatif, avec des crêtes positives et négatives.

Il faut mettre une interface pour que tes impulsions aient la bonne forme et références.

[f6bes]

Bjr , En régle générale sur un GBF on peut régler la fréquence et la TENSION de sortie.....mais l'intensité...nenni !
(de plus on a parfois accés en plus à la forme des signaux , sinus, carré ,triangulaire , dent de scie ....)
Bonne journée

[A voir en vidéo sur Futura]

[Antoane]

Bonjour,

Par ailleurs, 50 Ohm de résistance de grille ne sont pas une valeur exagérément haute... On voudra parfois descendre beaucoup plus bas, avec quelques ohms seulement, mais pour une bricolage peut contraint ca peut trés bien passer.
Comme demandé plus haut, il faudrait un schéma complet, avec ref. des composants, et idéalement quelques mesures à l'oscilloscope.

[paulfjujo]

bonjour,


il faudrait déja sousmettre ton schema de test ,
doc du GBF ?
(Z sortie ( vieux ) geneBF normalisée à 600 Ohms ?)
reference du MOSFET ?

sinon un simple interface avec transistor monté en suiveur permet déja d'abaisser l'impédance de sortie du gené BF
.. et donc d'augmenter le courant de sortie possible dudit GBF .

[Antoane]

bonjour,


il faudrait déja sousmettre ton schema de test ,
doc du GBF ?
(Z sortie ( vieux ) geneBF normalisée à 600 Ohms ?)
reference du MOSFET ?

sinon un simple interface avec transistor monté en suiveur permet déja d'abaisser l'impédance de sortie du gené BF
.. et donc d'augmenter le courant de sortie possible dudit GBF .

Pièce jointe 459755

La Rg_on est dans ce schéma de ~100 Ohm, et la Rg_off est de 570Ohm, soit 2 à 10 fois plus qu'avec le GBF seul (50 Ohm).

Un montage en emetteur commun aurait l'avantage de pouvior raidir les fronts (généralement mous en cortie d'un GBF), tout en diminuant la sensitivité quant aux réglages du GBF (V_high vs. 5V en particulier).

[paulfjujo]

on ne connait pas (encore ) la reference du gene BF utilisé
50 Ohms c'est plutot pour un gené HF , non ?
ou un gene BF rescent ..

si j'en crois toujours mes cours d'electronique (1967)
Le montage collecteur commum permet une impedance de sortie divisée en gros par le Beta h21 du transistor
* dans le cas d'une attaque en tension (Rg generateur =0)
ce n'est donc pas 470+100 -> environ(470/beta) +100
de plus la R de 100 ohms peut etre diminuée
On peut aussi diminuer la valeur de Re 470..

[Antoane]

Bonjour,

on ne connait pas (encore ) la reference du gene BF utilisé
50 Ohms c'est plutot pour un gené HF , non ?
ou un gene BF rescent ..

Possible...
Chacun aura sa définition de récent Mais même les GBF de plusieurs décénies ont des Rout de 50 Ohm. On trouve(ais) en 600 Ohm, mais pour des applications spécifiques, en audio.

si j'en crois toujours mes cours d'electronique (1967)
Le montage collecteur commum permet une impedance de sortie divisée en gros par le Beta h21 du transistor
* dans le cas d'une attaque en tension (Rg generateur =0)
ce n'est donc pas 470+100 -> environ(470/beta) +100
de plus la R de 100 ohms peut etre diminuée
On peut aussi diminuer la valeur de Re 470..

Tu raisonnes en petits signaux. S'agissant d'une commande de MOSFET, on s'intéresse aux cas :
1. ou le NPN est bloqué, la charge de grille est alors évacuée au travers des deux résistances en série
2. ou le NPN est passant (saturé ou @Vbc = 0, c'est à peu près pareil : on peut supposer le NPN comme idéal), et la résistance de grille équivalente est alors seulement la 100 Ohm.

[paulfjujo]

Tu raisonnes en petits signaux. S'agissant d'une commande de MOSFET, on s'intéresse aux cas :
1. ou le NPN est bloqué, la charge de grille est alors évacuée au travers des deux résistances en série
2. ou le NPN est passant (saturé ou @Vbc = 0, c'est à peu près pareil : on peut supposer le NPN comme idéal), et la résistance de grille équivalente est alors seulement la 100 Ohm.

Exact, merçi pour cette précision du contexte ..

[VictorElec]

Bonjour et merci pour vos interventions intéressantes.

J'ai résolu mon problème en changeant de NMOS et en modifiant légèrement mon schéma.

Bien cordialement

[antek]

C'eut pu intéresser quelqu'un de connaitre le mos et le schéma, non ?
Parce que dire dire "ça marche pas" puis "j'ai résolu en changeant quelque chose" n'est d'aucun intérêt.

[gienas]

Bonsoir à tous

... Parce que dire dire "ça marche pas" puis "j'ai résolu en changeant quelque chose" n'est d'aucun intérêt.

+1

C’est pratique de venir ”pleurer” quand on est dans la misère. Il devrait être obligatoire de donner la solution quand elle est trouvée.

Certains le font spontanément, pour le bénéfice de tous.

Les caractéristiques et les propriétés du signal demandées, seraient aussi bienvenues.