Bonjour,
j'aimerai savoir ce qui cause la localisation faible dans les structures de semiconducteur mésoscopique.
merci
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Bonjour,
j'aimerai savoir ce qui cause la localisation faible dans les structures de semiconducteur mésoscopique.
merci
Bonjour,
Je ne connaissais pas et j'ai cherché un peu par curiosité. Oulàlà, ça à l'air assez pointu comme truc.
J'ai trouvé ça, si ça aide :
http://www.lps.u-psud.fr/Collectif/gr_07/coherence.html
Il n'y a malheureusement pas de références dans cet articleIl existe toutefois une correction moyenne dite de localisation faible faisant intervenir les interférences des trajectoires formant une boucle parcourues dans les deux sens possibles
Mais ils donnent ça, dans une autre page :
http://www.lps.u-psud.fr/Collectif/gr_07/publi.html
"Il ne suffit pas d'être persécuté pour être Galilée, encore faut-il avoir raison." (Gould)
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Bonjour,
La référence que t'as donné Deedee 81 est pas mal (ce sont des spécialistes)
Sinon grosso modo la localisation faible renvoie aux contributions "interférentielles" qui modifient ce que donnerait l'équation de Boltzmann pour la conductivité électrique par exemple.
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L'origine de la modification vient des chemins de diffusion multiples qui se referment sur eux-mêmes.
salut,
pourrai tu stp expliquer pourquoi tu introduis l'équation de boltzmann dans ton explication, quel est le lien avec la conductivité ?Sinon grosso modo la localisation faible renvoie aux contributions "interférentielles" qui modifient ce que donnerait l'équation de Boltzmann pour la conductivité électrique par exemple
Salut,
Merci pour les références Deedde. Tu as mis quoi comme mot clé sur google pour les avoirs.
Merci mariposa pour l'explication avec les mains.
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Salut
Quand on fait un calcul de conductivité d'un matériau on résoud l'équation de Boltzmann dont la principale difficulté est le calcul des termes de collisions dans le menbre de droite. Néanmoins même quand le calcul est exhaustif et précis comme c'est le cas dans les "'grands "semiconducteurs classiques tel que Si et GaAS on néglige les effets cohérents de diffusion multiples.
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A l'échelle mésoscopique cela n'est plus possible il faut tenir compte des effets de cohérences. Il est donc logique de comparer ce que donne la prise en compte des effets de diffusion multiples avec ce que donne Boltzmann et bien sûr de comparer à l"'expérience.
Bonjour,
Je sais plus trop (j'ai fait plusieurs essais).
"Localisation faible quantique" ou "localisation faible semiconducteur" ou un truc du genre et j'ai consulté quelques liens qui me semblait intéressant. Pour la page de référence, je suis parti de la précédente et j'ai triché (j'ai enlevé le dernier mot dans l'adresse internet, de temps en temps ça marche)
Merci aussi. Je comprend mieux ce qui était dit dans cette page.
"Il ne suffit pas d'être persécuté pour être Galilée, encore faut-il avoir raison." (Gould)
