Je viens de retrouver dans mes tiroirs un petit stock de 2SD 1887: 1500 V 10 A (1500 V 8 A pour le BU2508)
transistor de commande:
autre raison pour laquelle je préfère encore un vieux bipolaire comme le BU2508:
la capa Miller, surtout active pour les fronts raides, va injecter un courant dans la base lors du front montant de la tension au primaire. Le BU2508 accepte un courant base de 6A crête. La base et sa répartition sur la puce sont construits pour de tels courants. La grille d'un MOSFET ou d'un IGBT ne me semblent pas construits pour de forts courants (impulsion brutale au de la "désaturation", pas tout à fait au moment de la capacité maximale). Les électrodes d'un MOS-IGBT sont bien plus résistives et la transmission de l'impulsion par "Miller" interne me fait plus craindre des montées localisées de tension.
la capa Miller (reverse transfer capacitance) du FGA25N120 est de 80pF (@1Mhz) pour une capa grille (à son maximum, elle varie beaucoup lors de l'excursion de la tension de commande) de 3700pf soit une tension rapportée à la base de 6.4V lors d'un pic de 300V or, la tension de seuil est un peu inférieure à la tension de capa maxi, ce transfert est donc potentiellement plus important. La résistivité interne des électrodes rend ce phénomène sensible même en cas de basse impédance d'attaque.
Je propose deux modes de défaillance : répartition delta résistance d'électrode sur delta capacité grille, et capa d'électrode non maximale au seuil de décommutation.
J'ai vu trop (un seul transistor qui s'envoie en l'air sans explications est déjà de trop!) de transitors en super-technologie s'envoyer en l'air par rapport au "vieux" bipolaire, comme par exemple le transistor IRGS14C40L "conçu pour allumage batterie-bobine", clampé de partout en interne, du béton sur papier, et pourtant remplacé plusieurs fois sur un même IgnitronII de Selectronic
Je sollicite bien sûr l'avis des semi-conductoristes
a+
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